第二章_晶体缺陷.ppt

作业(下周二交) 2.1.2，2.1.3，2.1.4，2.1.5，2.1.6，2.1.7，2.1.9，2.1.19， 2.2.2，2.2.3， 2.3.1，2.3.4，2.3.8，2.3.9，2.3.10，2.3.11，2.3.15，2.3.18，2.3.23(1)，2.3.24， 2.3.25，2.3.27，2.3.29 2.4.3，2.4.6，2.4.10 2.5.3，2.5.6，2.5.8，2.5.10，2.5.17，2.5.19，2.5.24，2.5.25，2.5.31 2.7.1 一 单晶体表面 2.5 界面 1 单晶体的表面能 设纯金属单晶体表面为一平面，其晶面指数为(hkl)。假定这个晶面的面密度（单位面积中的原子数）为n，每一个结合键的键能为eAA，则表面能γ为 式中，Zv与Zf分别为体配位数和(hkl)晶面的面配位数。由于eAA＜0，所以γ＞0. 对金属，γ约为0.1~1 J/m2.将eAA与物质的升华热ΔHv联系起来，可近似认为 升华热越大，表面能越大。 表面能性质： （1）与晶体表面原子排列致密度有关。原子密排面表面能?最小。 （2）与晶体的表面曲率有关。曲率越大?越小。 对晶体生长、固态相变中新相形成起作用。 2 单晶体表面能的各向异性 由2-17式可知，晶体表面能是各向异性的，即不同晶面的表面能不同。 ∵n与Zf均随晶面变化。 n Zf γ ｛111｝ 2/√3 6 1 ｛110｝ 2/√2 5 or 1 1.23 ｛100｝ 1 4 1.15 fcc: 多晶体定义 由晶体结构相同但位向不同的大量小晶体(称晶粒)构成的晶体,晶粒之间为晶界;多晶体各向同性 纳米晶定义 如果晶粒尺寸在1~100nm之间,称为纳米晶。 晶界取向差 不同晶粒中的[100]之间的角度差。 晶界自由度 2个晶面自由度+3个位向自由度=5个 二 多晶体表面能 * 2.5.2 晶界 晶界的结构：根据晶界两侧晶粒的位向差不同，晶界的结构大致可分为两类： 晶界：晶界就是空间取向(或位向)不同的相邻晶粒之间 的分界面。 2.5.2 晶界 小角度晶界：两个相邻晶粒的位向差小于约10°。 大角度晶界：两个相邻晶粒的位向差较大，一般在10°以上。 小角晶界可分：倾转晶界（一系列刃位错构成） 扭转晶界（螺位错构成） 1.小角度晶界 1）对称倾转晶界对称倾转晶界可以看作是取向一致的两个晶体相互倾转θ/2角形成的界面。  2)不对称倾斜晶界：晶界看成两组互相垂直的刃型位错排列而成的。 3)扭转晶界：将一块晶体沿横断面切开,并使左右部分晶体绕轴转动θ角,再与左部分晶体粘在一起形成。可看成是由互相交叉的螺位错所组成。 1.小角晶界 对称倾转晶界的刃位错间距 2.大角晶界 大角晶界实际上是零点几个纳米厚的过渡区，其中原子排列很不规则，难以用位错模型描述，因此有学者提出“重合位置点阵模型（CSL）”。 设两套相互重叠的点阵做相对平移或旋转，当达到某一特定位置时，有些阵点相互重合，这些重合阵点构成的特殊点阵称为重合位置点阵。 引入重合位置密度，记为1/Σ，表示重合阵点数与原有阵点数的比值。  大角度晶界新理论 背景: 能量最低理论在界面相中的应用,手段是有序化 1重合位置点阵 例 简单立方[100]。 旋转28.1°,重合度为: 1/Σ=1/17 2晶界位错 用位错构造晶界, 满足两侧的角度差。 * 界面能：晶界面上的原子相对正常晶体内部的原子而言，均处于较高的能量状态，因此，晶界也存在界面能。 金属Cu的 各类界面能 在材料的研究中，发现少量杂质或合金元素在晶体内部的分布也是不均匀的，它们常偏聚于晶界，称这种现象为晶界内吸附。 产生的原因可参见位错与点缺陷的作用，一般杂质原子与晶体的尺寸或性质差别愈大，这种偏聚愈严重。 杂质原子在晶界的偏聚对晶体的某些性能产生重要的影响，具体的影响到学习材料性能时要使用。 晶界与杂质原子的相互作用 （1）晶界处点阵畸变大，存在晶界能。 （2）常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍运动，使塑性变形抗力提高，使晶体（材料）的硬度和强度提高。 （3）晶界处原子具有较高的动能，且晶界处存在大量缺陷。原子在晶界处扩散比晶内快得多。 （4）固态相变时易在晶界处形成新核。 （5）晶界上富集杂质原子多，熔点低。 （6）晶界腐蚀速度比晶内快。 （7）晶界具有不同与晶内的物理性质。 因此，总结出晶界特征如下： 2.5.3 相界: 具有不同结构的两相之间的分界面 相界面的分类 1共格界面 理想共格界面:两侧原子一一对应且无应变 特征：界面两侧的保持一定的位向关系，沿界面两相具有相同或近似的原子排列，两相在