IRF540中文数据手册要点.docx

资料收集于网络，如有侵权 请联系网站删除 资料收集于网络，如有侵权 请联系网站删除 只供学习与交流 只供学习与交流 QUICK REFERENCE DATAVDS￡ = 100 V QUICK REFERENCE DATA VDS￡ = 100 V lD = 23 A ^ds；on：百 7了 ml】 使用沟渠工艺封装的 N通道增强型场效应功率晶体管 IRF540 N 沟道 MOS 管 特性 ‘ Thrench '工艺 低的导通内阻 快速开关 低热敏电阻 综述 应用: DC到DC转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。 管脚 管脚 描述 1 Gate 2 Drain 3 Source Tab Drain SOT404(DJPAK) tab 极限值 系统绝对最大值依照限制值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 V_DSS 漏源极电压 Tj= 25 ?C to 175 ?C - 100 V V DGR 漏门极电压 Tj = 25 ?C to 175 ?C; - 100 V  V_GS 门源极电压 RGS = 20 k ? - 士 20 V l_D 连续漏电流 - 23 A Tmb = 25 ?C; VGS = 10 V - 16 A I_DM 脉冲漏电流 Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V - 92 A P_D 总功耗 Tmb = 25 ?C - 100 W Tj , Tsig 操作点和 Tmb = 25 ?C -55 175 C 存储温度 雪崩能量极限值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 E" 非重复性雪 Un clamped in ductive load, IAS = 10 A; - 230 mJ 匚AS 崩能量 tp = 350 s; Tj prior to avalanche = 25?C; I 最大非重复 VDD W 25 V; RGS = 50 ?; VGS = 10 V ; - 23 A IAS 性雪崩电流 refer to fig:14 热敏电阻 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 D :安装底座交界 - - 1.5 K/W Rhj _mb 处的热阻 Rhj _a 周围环境热阻 SOT78封装，自由空间 SOT404 封装，PCB 上 - 60 50 - K/W K/W 电特性 25C除非另有说明 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 V(BR) DSS 漏源极崩溃电压 VGS =0V ; I D =0.25mA 100 - - V Tj : =-55?C 89 - - V VGS(TO) 门阀电压 VDS =VGS ; ID = 1 mA 2 3 4 V Tj = 175?C 1 - - V Tj : =-55?C - - 6 V RDS(ON) 漏源极导通电阻 VGS =10 V; ID = 17 A - 49 77 m Q Tj = 175?C 132 193 m Q  g fs 1 GSS 1 DSS 向前跨导 Vds=25V; Id=17A Vgs = ±20 V；Vds =0V VDS = 100 V; VGS = 0 V 8.7 15.5 10 0.05 100 10 250 S nA uA uA 门源极泄漏电流 0门极电压漏电流 VDS=80V;VGS=0V; Tj= 175?C Qg(tot) 总共门极电荷 ID = 17 A - - 65 nC Qgs 门源极电荷 VDD = 80 V; - - 10 nC Qgd 门漏极电荷 VGS = 10V - - 29 nC Td on 开启延迟时间 Vdd = 50 V; Rd = 2.2 ?; - 8 - ns Tr 开启上沿时间 Vdd = 10 V; Rg = 5.6 ? - 39 - ns Td off 关闭延迟时间 Resistive load - 26 - ns Tf 关闭卜沿时间 - 24 - ns Ld 内部漏电感 Measured tab to centre of die - 3.5 - nH Ld 内部漏电感 Measured from drain lead to centre - 4.5 - nH of die (SOT78 package only) Ls 内部源极电感 Measured from source lead to source - 7.5 - nH bond pad CiSS 输入电容 Vgs = 0 V; Vds = 25 V; f = 1 MHz - 890 CoSS - 139 1187 pF CrSS 输出电容 - 83 反馈