(完整版)模电各章重点内容及总复习(2010.6).docxVIP

《模电》第一章重点掌握内容： 一、概念 1、 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 2、 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 3、 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。 4、 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电 场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。 5、 P 型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成 P 型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体， 空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。 6、 N 型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成 N 型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体， 电子为多子、而空穴为少子。 7、 PN 结具有单向导电性： P 接正、 N 接负时（称正偏） ， PN 结正向导通， P 接负、 N 接正时（称反偏） ， PN 结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。 8、 二极管按材料分有硅管 (Si 管 )和锗管 (Ge 管 )，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。 9、 二极管由一个 PN 结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏 时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压： Si 管约 0。5V ，Ge 管约为 0。 1 V ， 其死区电压： Si 管约 0.5V ， Ge 管约为 0.1 V 。 其导通压降： Si 管约 0.7V ， Ge 管约为 0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。 10、稳压管是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。 （压降为 0.7V ，） ②加反向电压时截止，相当断开。 ③加反向电压并击穿（即满足 U ﹥ UZ）时便稳压为 UZ 。 11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。 二、应用举例： （判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压 U0 。三极管复习完第二章再判） 参考答案： a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。是硅管。 b 、二极管反偏截止。 f 、因 V 的阳极 电位比阴极电位高， 所以二极管正偏导通， （将二极管短路） 使输出电压为 U 0=3V 。G、因 V1 正向电压为 10V ， V2 正向电压 13V ，使 V2 先导通，（将 V2 短路）使输出电压 U =3V ，而使 V1 反偏截止。 h 、同理，因 V1 0 正向电压 10V 、V2 正向电压为 7V ，所以 V1 先导通（将 V1 短路），输出电压 U0 =0V ，使 V2 反偏截止。（当输 入同时为 0V 或同时为 3V ，输出为多少，请同学自行分析。 ） 三、书 P31 习题： 1-3、 1-4、 1-6、 1-8、1-13、 1-16 1、 《模电》第二章重点掌握内容： 一、概念 1、 三极管由两个 PN 结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。 （参考 P40） 三个区：发射区——掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。 基区——掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。 集电区——掺杂浓度较高，但面积最大，其作用是收集发射区发射的电子。 两个结：集电区——基区形成的 C PN 结。叫集电结。 （J ） 基区——发射区形成的 e PN 结。叫发射结。 （J ） 三个极：从三个区引出的三个电极分别叫基极 B、发射极 E 和集电极 C（或用 a、 b、 c） 对应的三个电流分别称基极电流 B 、发射极电流 E I C 。并有： I E B + I C I I 、集电极电流 =I 2、 三极管也有硅管和锗管，型号有 NPN 型和 PNP 型。 (参考图 A 。注意电路符号的区别。可用二极管等 效来分析。 ) 3、 三极管的输入电压电流用 U BE 、 IB 表示，输出电压电流用 UCE 、I C 表示。 即基极发射极间的电压为输入电压 U BE，集电极发射间的电压为输出电压 U CE。（参考图 B ） 三极管具有电流电压放大作用 .其电流放大倍数 β=I C / I B C B )和开关作用 . (或 I =βI 4、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性 ）与二极管正向特性很相似，也有： 死区电压：硅管约为 0.5V, 锗管约为 0.1V 。 导通压降：硅管约为 0.7V , 锗管约为 0.2V 。（这两组数也是判材料的依据） 5、三极管的输出特性 (指输出电压 U CE 与输出电流 IC 的关系特性 )有三个区 : ① 饱和区 : 特点是 UCE ﹤0.3V,无放大作用 ,C-E 间相当闭合 .其偏置条件 JC, J e 都正偏 . ② 截止