硅片制绒和清洗讲解.ppt

Page 1 硅片制绒和清洗 制绒小组 08.11.14 Page 2 概述 硅片表面的处理目的： ? 去除硅片表面的机械损伤 ? 清除表面油污和金属杂质 ? 形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收 Page 3 硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程 多晶硅 单晶硅 Page 4 硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割 Page 5 硅片表面的机械损伤层 （三）机械损伤层 硅片 机械损伤层（ 10 微米） Page 6 粗抛 ? 粗抛 原理：各个晶面在高浓度的碱溶液将不再具有各项异性腐 蚀特性 ? 目的：去除表面的机械损伤层以及其它杂质 ? 一般采用 20% 的碱溶液在 90 ℃条件腐蚀 0.5 ～ 1min 以达到去除损伤层的效果 , 此时的 腐蚀速率可达到 6 ～ 10um/min 。 ? 粗抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片 被腐蚀过薄。 ? 对于 NaOH 浓度高于 20%W/V 的情况，腐蚀速度主要取决 于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。 Page 7 ? 1.1 什么是制绒 ? 制绒是利用硅的各向异性腐蚀特性在表面刻出类似与金 字塔或者是蜂窝状的