电荷转移器件讲解.ppt

Company Logo 第 7 章 电荷转移器件 刘乔 阮雄飞 Company Logo 2 深耗尽状态和表面势阱 Contents 1 MOS 电容的瞬态特性 2 信号电荷的输运传输效率 3 4 电荷转移 Company Logo 3 7.3 MOS 电容的瞬态特性 在电荷耦合器件紧密排布的 MOS 电容器上施加电压脉冲 就产生势阱。少数载流子的存贮和输送就是在这些势阱之 间进行的。给下图所示的 MOS 电容器加上正的栅偏压，在栅 的下边形成耗尽层。在形成反型层之前，半导体表面处于 深耗尽状态 。 Company Logo 4 7.3 MOS 电容的瞬态特性 在深耗尽状态，耗尽层内将产生电子 - 空穴对。在耗尽层电 场作用下，电子向半导体表面漂移，空穴向半导体体内漂移。 进 入体内的空穴中和电离受主，使耗尽层变窄 。 电子向半导体表面漂移使表面电子浓度不断增加引起电子从 表面向体内扩散，同时抵制电子向半导体表面的漂移。结果是漂 移不断减弱，扩散不断加强，最终达到漂移流和扩散流相等的动 态平衡 -- 热平衡。达到热平衡所需要的时间即为 热弛豫时间 。 Company Logo 5 7.3 MOS 电容的瞬态特性 （ b ）在 t=0 + 时深