半导体集成电路制造pie常识讲解.docxVIP

Question Answer PIE 1 PIE 何谓 PIE? PIE 的主要工作是什幺 ? 答： Process Integration Engineer(工艺整合工程师 ), 主要工作是整合各部门的资源 , 对工艺持续进行改善 , 确保产品的良率（ yield）稳定良好。 200mm，300mm Wafer 代表何意义 ? 答： 8 吋硅片 (wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm 硅片即 12 吋. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少 mm 的硅片 (wafer)工艺？未来北京 3. 的 Fab4(四厂 )采用多少 mm 的 wafer 工艺？ 答：当前 1~3 厂为 200mm(8 英寸 )的 wafer, 工艺水平已达 0.13um 工艺。 未来北京厂工艺 wafer 将使用 300mm(12 英寸 )。 我们为何需要 300mm? 答： wafer size 变大，单一 wafer 上的芯片数 (chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加 2.25 倍 ,芯片数目约增加 2.5 倍 8〞 12〞 200mm 300mm 所谓的 0.13 um 的工艺能力 (technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到 0.13 um 的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6.  0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um 的 technology改变又代表 的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低） 做的越小时，工艺的难度便相对提高。从 0.35um - 0.25um - 0.18um - 0.15um - 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 一般的硅片 (wafer)基材 (substrate)可区分为 N,P 两种类型（ type）,何谓 N, 7. P-type wafer? 答： N-type wafer 是指掺杂 negative 元素 (5 价电荷元素，例如： P、 As) 的硅片 , P-type 的 wafer 是指掺杂 positive 元素 (3 价电荷元素 , 例如： B、In) 的硅片。 2 工厂中硅片（ wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程 (module)？ 答：主要有四个部分： DIFF （扩散）、TF( 薄膜 )、PHOTO （光刻）、ETCH （刻蚀）。其中 DIFF 又包括 FURNACE( 炉管 )、WET( 湿刻 )、IMP( 离子注入 )、RTP( 快速热处理 )。TF 包括 PVD( 物理气相淀积 )、 CVD( 化学气相淀积 ) 、 CMP( 化学机械研磨 )。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（ module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 一般硅片的制造常以几 P 几 M 及光罩层数 (mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几 P 几 M 及光罩层数 (mask layer)代表什幺意义？ 答：几 P 几 M 代表硅片的制造有几层的 Poly(多晶硅 )和几层的 metal(金属 导线 ). 一般 0.15um 的逻辑产品为 1P6M( 1 层的 Poly 和 6 层的 metal)。而 光罩层数（ mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的 PHOTO（光刻）. Wafer 下线的第一道步骤是形成 start oxide 和 zero layer? 其中 start oxide 10. 的目的是为何？ 答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触 Si 表面。 ②在 laser 刻号过程中 ,亦可避免被产生的粉尘污染。 为何需要 zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的 , 各层次之间以 zero layer 当做对准的基准。 Laser mark 是什幺用途 ? Wafer ID 又代表什幺意义 ? 答： Laser mark 是用来刻 wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样 , 一个 ID 代表一片硅片的身份。 一般硅片的制造 (wafer process)过程包含哪些主要部分？答：①前段（ frontend ）- 元器件 (device) 的制造过程。 ②后段（ backend）- 金属导线的连接及护层（ passivation ） 前段（ frontend）的工艺大致可区分为那些部份 ? 答：① STI 的形成 (定义 AA 区域及器件间的隔离 ) ②阱区离子注入（ well implant）用以调整电性③栅极 (poly gate)的形成 ④源 /漏极（ sou