模电总结复习资料期末试题A及答案.docxVIP

第一章 半导体二极管 一. 半导体的基础知识 1. 半导体 --- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 ( 如硅 Si 、锗 Ge)。 特性 --- 光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体 ---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子 ---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P *N  型半导体 型半导体  :  :  在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）  。 。 杂质半导体的特性 载流子的浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 体电阻 --- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 转型 --- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN 结 PN 结的接触电位差 --- 硅材料约为 ~，锗材料约为 ~。 PN 结的单向导电性 --- 正偏导通，反偏截止。 PN 结的伏安特性 . 半导体二极管 单向导电性 ------ 正向导通，反向截止。 二极管伏安特性 ---- 同ＰＮ结。 * 正向导通压降 ------ 硅管 ~，锗管 ~。 死区电压 ------ 硅管，锗管。 3. 分析方法 ------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 (短路 ); 若 V 阳V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 (开路)。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q。 等效电路法 直流等效电路法 总的解题手段 ---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 (短路); 若 V 阳 V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 (开路)。 三种模型 微变等效电路法 . 稳压二极管及其稳压电路 稳压二极管的特性 --- 正常工作时处在 PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一. 三极管的结构、类型及特点 类型 --- 分为 NPN和 PNP两种。 特点 --- 基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 三极管内各极电流的分配 共发射极电流放大系数 ( 表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 输入特性曲线 --- 同二极管。 输出特性曲线 ( 饱和管压降，用 UCES表示 放大区 --- 发射结正偏，集电结反偏。 截止区 --- 发射结反偏，集电结反偏。 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 I CBO、 I CEO 、 I C以及 β均增加。三. 低频小信号等效模型（简化） hie --- 输出端交流短路时的输入电阻， 常用 r be 表示； hfe --- 输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用β表示； 四. 基本放大电路组成及其原则 VT 、 VCC、 Rb、 Rc 、 C1、 C2 的作用。 组成原则 ---- 能放大、不失真、能传输。 五. 放大电路的图解分析法 直流通路与静态分析 概念 --- 直流电流通的回路。 画法 --- 电容视为开路。 作用 --- 确定静态工作点 直流负载线 --- 由 VCC=I CRC+UCE 确定的直线。 电路参数对静态工作点的影响 1 ）改变 Rb ： Q点将沿直流负载线上下移动。 2 ）改变 Rc ： Q点在 I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3 ）改变 VCC：直流负载线平移， Q点发生移动。 交流通路与动态分析 概念 --- 交流电流流通的回路 画法 --- 电容视为短路 , 理想直流电压源视为短路。 作用 --- 分析信号被放大的过程。 * 交流负载线 --- 连接 Q点和 V CC’点 V CC’= UCEQ+I CQR L’的 直线。 静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 产生原因 --- Q点设置过低 失真现象 ---NPN 管削顶， PNP管削底。 消除方法 --- 减小 Rb，提高 Q。 （2） 饱和失真 * 产生原因 --- Q点设置过高 * 失真现象 ---NPN 管削底， PNP管削顶。 * 消除方法 --- 增大 Rb、减小 Rc、增大 VCC 。 4. 放大器的动态范围 （1） Uopp--- 是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）范围 * 当（ UCEQ－