IGBT原理要点相关资料.pdfVIP

IGBT原理 什么是 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ，绝缘栅双极型功率管，是 由 BJT(双极型三极管 ) 和 MOS(绝缘栅型场效应管 ) 组成的复合全控型电压驱动式 电力半导体器件 , 兼有 MOSFET的高输入阻抗和 GTR的低导通压降两方面的优点。 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大 ;MOSFET驱动功率很小，开关速 度快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功 率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流 电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图 1 所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区， 附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的 电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的 P 型区（包括 P+ 和 P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而 在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是 IGBT 特有的 功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏 极注入空穴， 进行导电调制， 以降低器件的通态电压。 附于漏注入区上的电极称 为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供 基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET基本相同，只需控制输入极 N一沟道 MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。 当 MOSFET的沟道形成后， 从 P+ 基极注入 到 N 一层的空穴 （少子），对 N 一层进行电导调制， 减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： 1 ．静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时， 漏极电流与栅极电压 之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控制， Ugs 越高， Id 越 大。它与 GTR的输出特性相似． 也可分为饱和区 1 、放大区 2 和击穿特性 3 部 分。在截止状态下的 IGBT ，正向电压由 J2 结承担，反向电压由 J1 结承担。如 果无 N+ 缓冲区， 则正反向阻断电压可以做到同样水平， 加入 N+缓冲区后， 反向 关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了 IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的关系曲 线。它与 MOSFET的转移特性相同， 当栅源电压小于开启电压 Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在 IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与 Ugs呈线性关 1 系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为 15V左右。 IGBT