三极管npn课程设计报告.pdfVIP

下载本文档

62
0
约4.11万字
约 22页
2021-03-18 发布于天津
举报
版权申诉

三极管npn课程设计报告.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

目录 1. 课程设计目的与任务…………………………………………… 4 2. 课程设计的基本内容…………………………………………… 4 2.1 npn 双极型晶体管的设计……………………………………… 4 2.2 课程设计的要求与数据………………………………………… 4 3. 课程设计原理…………………………………………………… 4 3.1 晶体管设计的一般步骤…………………………………………5 3.2 晶体管设计的基本原则…………………………………………5 4. 晶体管工艺参数设计……………………………………………6 4.1 晶体管的纵向结构参数计……………………………………6 4.1.1 集电区杂质浓度的确定……………………………………………… 6 4.1.2 基区及发射区杂质浓度……………………………………………… 7 4.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定………………………………… 7 4.1.4 各区少子扩散长度的计算…………………………………………… 8 4.1.5 集电区厚度的选择…………………………………………………… 9 4.1.6 基区宽度的计算……………………………………………………… 9 4.1.7 扩散结深 …………………………………………………………… 12 4.1.8 杂质表面浓度 ……………………………………………………… 13 4.1.9 芯片厚度和质量…………………………………………………… 13 4.2 晶体管的横向设计…………………………………………… 13 4 .2 .1 晶体管横向结构参数的选择…………………………………… 13 4.3 工艺参数计算………………………………………………… 14 4.3.1 晶体管工艺概述…………………………………………………… 14 4.3.2 基区硼预扩时间…………………………………………………… 15 4.3.3 基级氧化层厚度…………………………………………………… 16 4.3.4 基区硼再扩散时间计算…………………………………………… 16 4.3.5 发射区预扩散时间………………………………………………… 17 4.3.6 发射区再扩散的时间……………………………………………… 17 4.3.7 基区氧化时间……………………………………………………… 18