薄膜制备技术(CVD).pptVIP

2021/3/14 * 化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。CVD从理论上很简单,实际上,反应室中的反应是很复杂的,有很多必须考虑的因素,沉积参数的变化范围是很宽的。 CVD合成工艺过程、参数、及过程控制 2021/3/14 * 反应室内的压力 晶片的温度 气体的流动速率 气体通过晶片的路程 气体的化学成份 一种气体相对于另一种气体的比率 反应的中间产品起的作用 是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应 2021/3/14 * 沉积薄膜中的变数: 在整个晶片内厚度的均匀性和在图形上的覆盖特性（后者指跨图形台阶的覆盖） 薄膜的化学配比（化学成份和分布状态） 结晶晶向和缺陷密度等。 沉积速率也是一个重要的因素,因为它决定着反应室的产出量,高的沉积速率常常要和薄膜的高质量折中考虑。反应生成的膜不仅会沉积在晶片上,也会沉积在反应室的其他部件上,对反应室进行清洗的次数和彻底程度也是很重要的。 2021/3/14 * (1) 反应混合物的供应 毫无疑问,对于任何沉积体系,反应混合物的供应是决定材料质量的最重要因素之一。在材料研制过程中,总要通过实验选择最佳反应物分压及其相对比例。 化学家和物理学家花大量时间研究如何制得高质量的材料,总结出了了影响化学气相沉积制备材料质量的几个主要因素: (2) 沉积温度 沉积温度是最主要的工艺条件之一。温度直接影响反应系统的自由能,决定反应进行的程度和方向,不同沉积温度对涂层的显微结构及化学组成有直接的影响。由于沉积机制的不同,它对沉积物质量影响因素的程度也不同。同一反应体系在不同温度下,沉积物可以是单晶、多晶、无定形物,甚至根本不发生沉积。 2021/3/14 * (3) 衬底材料 化学气相沉积法制备无机薄膜材料,都是在一种固态基体表面（基底）上进行的。对沉积层质量来说,基体材料是一个十分关键的影响因素。涂层能与基体之间有过渡层或基体与涂层线性膨胀系数差异相对较小时,涂层与基体结合牢固。 (4) 系统内总压和气体总流速 这一因素在封管系统中往往起着重要作用。它直接影响输运速率,由此波及生长层的质量。开管系统一般在常压下进行,很少考虑总压力的影响,但也有少数情况下是在加压或减压下进行的。在真空（一至几百帕）沉积工作日益增多的情况下,他往往会改善沉积层的均匀性和附着性等。 2021/3/14 * (5) 反应系统装置的因素 反应系统的密封性、反应管和气体管道的材料以及反应管的结构形式对产品质量也有不可忽视的影响。 (6) 源材料的纯度 大量事实表明,器件质量不合格往往是由于材料问题,而材料质量又往往与源材料（包括载气）的纯度有关。 2021/3/14 * 当气体的扩散速度与气体流速相比很小时,则可求出在衬底表面处,薄膜沉积速率 Msi、Mg分别是Si和反应物分子的相对原子量;ρ为Si的密度。 这一结果表明:Si薄膜的沉积速率将沿着气体的流动方向呈指数下降,原因是因为反应物随着距离的增加而贫化。 根据这一模型,提高薄膜沉积均匀性的措施有: 1）提高气体流速V和装置的尺寸b; 2）调整装置内的温度分布,从而影响扩散系数D的分布; 3）改变衬底的放置角度,客观上强制提高气体的流动速度。 2021/3/14 * 化学气相沉积法合成生产工艺种类 CVD设备的心脏,在于其用以进行反应沉积的“反应器”。而CVD反应器的种类,依其不同的应用与设计难以尽数。 按CVD的操作压力可分为,CVD基本上可以分为常压与低压两种。 若以反应器的结构来分类,则可以分为水平式、直立式、直桶式、管状式烘盘式及连续式等。 CVD技术的合成工艺 2021/3/14 * 若以反应器器壁的温度控制来评断,也可以分为热壁式（hot wall）与冷壁式（cold wall）两种。 若考虑CVD的能量来源及所使用的反应气体种类,我们也可以将CVD反应器进一步划分为等离子增强CVD(plasma enhanced CVD,或PECVD),及有机金属CVD(metal-organic CVD,MOCVD)等。 CVD装置通常可以由气源控制部件、沉积反应室、沉积温控部件、真空排气和压强控制部件等五部分组成。 一般而言,任何CVD系统,均包含一个反应器、一组气体传输系统、排气系统及工艺控制系统等。 CVD的沉积反应室内部结构及工作原理变化最大,常常根据不同的反应类型和不同的沉积物要求来专门设计。 2021/3/14 * 大体上可以把不同的沉积反应装置粗分为常压化学气相沉积（atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD）、低压化学气相沉积（low pressure c