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自测题 一、判断下列说法是否正确，用“ V ”和“ X”表示判断结果填入空内。 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型 半导体。( ) 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。() PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。() 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 () 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电 压，才能保证其Rgs大的特点。() 若耗尽型N沟道MOS管的U gs大于零，则其输入电阻会明显变小。 () 解：(1) V ( 2) X ( 3) V ( 4) X ( 5) V ( 6) X 二、选择正确答案填入空内。 TOC \o 1-5 \h \z PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 变窄 B.基本不变 C.变宽 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。 A. IseU B. ISeU Ut C. lS(eUUT-1) 稳压管的稳压区是其工作在 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 前者反偏、后者也反偏 前者正偏、后者反偏 前者正偏、后者也正偏 Ugs = 0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 解：(1 ) A ( 2) C ( 3) C ( 4) B ( 5) A C 1.1选