电力电子装置电磁兼容性的研究进展 .docVIP

电力电子装置电磁兼容性的研究进展 导语：?电力电子装置的高频化和大容量化不仅导致器件所承受的电应 力的增加和开关损耗的增加，而且产生难以抑制的宽带电磁干扰 摘 要:电力电子装置的高频化和大容量化不仅导致器件所承受的电应 力的增加和开关损耗的增加，而且产生难以抑制的宽带电磁干扰［1-3］，对电网 和环境造成严重的电磁污染，甚至威胁到其本身乃至与其相关的其他电子设备的正常工作。 本文从电力电子装置的电磁干扰源产生的机理入手，概括了近年来国外的最新研究成果，并 着重分析对比了硬开关与软开关的电磁干扰特性。关键词：开关变换器　电磁兼容性　硬开关　软开关1　引言　　电力电子装置以其高效率进行电能转换著称，正日益广泛应用于工业与民用的电力变换与传 动控制。据估计，工业生产中70％的电能都通过电力电子装置变换后才为人类所利用。8 0年代后期，功率场控器件的实用化和大容量化，使电力电子装置跨入高频化、大容量时代 。由于电力电子换流过程中产生前后沿很陡的（di/dt可达1A/ns，dv/dt 可达3V/ns）脉冲，从而引发了严重的电磁干扰。这些干扰经近场和远场耦合形成传导和辐 射干扰，严重污染周围电磁环境和电源系统，这不仅会使变换电路自身的可靠性降低，而且 使电网及邻近设备运行质量受到严重影响。　　随着电子信息产业的发展，以开关变换器为核心的电力电子装置正广泛应用于以电子计算机 为主导的各种终端设备、通信设备等几乎所有的电子设备。在美国佛吉尼亚电力电子研究中 心（Virginia Power Electronic Center——VPEC）1997年的年度报告上这样写到： 如 果说是微处理器技术的进步促使计算机主频从1985年的16MHz发展到今天的200MHz ，那么，下一步向GHz的飞跃主要取决于电力电子技术的发展［4］。当芯片以GHz工 作时，电源必须以足够高的匹配速度给逻辑门供电（以Pentiumpro为例，要求负载电流供 应速率为30A/μs），这也是Intel不得不放慢Pentium微处理器的时钟速度的一个重要原 因［4］。所以说，电力电子装置的电磁兼容性问题急待解决。　　近年来，随着电力电子技术的发展，功率开关器件的容量也越来越大（如光控SCR（Silicon Controllable Rectifier）已有4000A/8000V的产品，IGBT（Insulated GateBip olar Transistor）已有3500V/2400A的模块出售），开关频率越来越高，最高可达 几MHz，而装置的尺寸越来越小。以DC-DC电源为例，当前国内的水平为30W/in3 ，而国际水平则为120W/in3，预计2000年可达240W/in3。这些因素都要求 更进一步地加强电力电子装置电磁干扰特性及其防范的研究。特别是在设计阶段，对新装置 的干扰特性进行预估，缩短其开发周期，提高电力电子装置的电磁兼容性就成为至关重要的 问题。2　电力电子装置电磁干扰源的探索性研究　　在探寻电力电子装置电磁干扰源的过程中，人们通过大量的实验，不断总结新的经验。早在 1983年，Schneider开发了用于测试运行中的开关电源的源阻抗特性的技术，这是一种 用标量法测量噪声频谱以确定源阻抗的实部和虚部的技术。该技术选择电抗性负载与噪声源 的 虚部振荡，通过振荡频率可确定噪声源的电抗部分。源阻抗的实部则由振荡噪声电流的峰值 确定。阻抗测试主要是在10kHz～1MHz频段内进行的，基于测试结果，Schneider提出描 述开关电源交流侧噪声源特性的共模和差模噪声的等效电路［5］。　　由于共模电流的辐射作用通常比差模电流的辐射作用要大得多［6］，区分系统中的 共模干扰与差模干扰是十分必要的，VPEC研究中心提出了功率合成器［7］，对 系统中的共模和差模传导干扰进行定量测量。　　在电力电子装置中，共模噪声与差模噪声产生的内部机制也有所不同。差模噪声主要由开关 变换器的脉动电流引起；共模噪声则主要由较高的dv／dt与杂散参数间相互作用而 产生的高频振荡引起。如图1所示，共模电流iCM包含连线到接地面的位移电流 ，同 时，由于开关器件端子上的dv／dt是最大的，所以开关器件与散热片间的杂散电容 Ck也将产生共模电流。针对不同系统，共模和差模干扰产生的具体原因也不尽相同。 根据传播途径的不同，以下将电磁干扰分为传导干扰和辐射干扰，分别进行讨论，并阐述开 关变换器的近场特性的研究。图1　离线变换器共模电流的路径Fig.1　Common-mode current path in a off-line converter2.1　传导干扰源的研究　　传导是电力电子装置中干扰传播的