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多芯片组件的热三维有限元模拟与分析 导语：?多芯片组件的热三维有限元模拟与分析 多芯片组件（MCM） 是将多个半导体集成电路元件以裸芯片的状态搭载在不同类型的布线板上，并实现整体封装的一种封装技术。与单芯片封装相比。MCM可提高单位体积内电路的集成度，有利于电子整机向高速化、多功能化和小型化方向发展，随着MCM 集成度的提高和体积的缩小，尤其是对于集成了大功率芯片的MCM，其内部具有多个热源，热源之间的热糯合作用较强，单位体积内的功耗很大，由此带来的芯片热失效和热退化现象突出。有资料表明，器件的工作温度每升高10℃，其失效率增加l倍。因此，准确模拟大功率MCM 模块的三维温场分布，并分析掌握其热特性，有利于指导MCM 热设计方案的选择，对提高大功率MCM 的可靠性具有重要意义。 笔者以ATMEL公司生产的MCM的内部结构、尺寸和材料为基础，对该MCM在典型工作模式和自然对流的环境下的内部和封装表面温度场分布情况进行了模拟，并分析了该MCM 工作时各部分散热比例情况和MCM各部分材料的热导率对内部温度的影响。 1 计算模型 1.1 MCM 实际结构 图1描述了ATMEL 公司生产的某型号MCM 的内部结构。该MCM 内部有三个芯片以倒装焊方式置于Al203 基板上（芯片和基板之间有层厚度为0.29mm 的粘结剂），其中左边的一块是CPU，它的尺寸为8.5mm x 7.62mm x O.65mm。右边为两块大小相等的存储器，它们的尺寸为9.5mm x 6.82mm x 6.5mm。基板的尺寸为25mm x 21mm x 2.2mm，其背面通过阵列排列的255个焊球与PCB相连，焊球直径为0.8 mm,焊球中心距离为1.27mm。PCB 的尺寸为90mm x 50mm x 1.5mm。 1.2 有限元模型 为了便于计算分析，先对模型作如下简化和假设: （1） MCM工作时其内部功率器件处于热平衡状态，且其结温分布是稳定的。 （2） MCM内部的CPU 和存储器是主要热源，忽略电流流过电阻和连续时产生的焦耳热。 （3） 假设MCM底表面的温度为常数，这样便于红外热像仪测量。 （4） 假设封装表面和PCB表面与周围空气对流热交换系数为常数。 根据图1描述的结构用ANSYS建立模型，然后对模型划分网格。笔者用ANSYS 提供的网格划分控制工具“Mesh Tool”来进行网格划分，其中网格单元选用SOLID70，用“Smart Size”来控制网格尺寸。网格划分的优劣通过“Smart Size”里面的size level来控制，当sizelevel 为1时，网格划分得最精细，而size level 为10时，网格划分得最粗糙。考虑到PCB 结构比较简单而且热流密度比较小，它的size level 选择8 ，而封装体结构比较复杂并且热流密度比较大，它的size level 选择6。网格划分后的有限元模型内部如固2 所示。封装体有限元模型由209803 个单元和45222 个节点组成，PCB 有限元模型由235284 个单元和51317 个节点组成。模型中采用的材料及其热导率如表1所示。[align=center]图2 MCM内部结构有限元模型[/align] 1.3 模型边界条件 模型的热边界条件如下:热源为芯片工作时的发热，其中CPU 的发热功率为2.6W，两个存储器的发热功率分别为l5mW；模型内部各材料之间通过传导方式进行传热，服从傅立叶传热定律:模型外表面通过与空气的对流和辐射进行散热，对流传热服从牛顿冷却定律，热辐射服从斯蒂芬-玻尔兹曼定律。外部环境温度为16℃，在空气自然对流情况下，取对流传热系数为25W/（m2·K）。PCB 的黑度为0.9，包封表面的黑度为0.8。 2 模拟结果与分析 经过ANSYS的模拟，模型的整体温度分布如图3所示。从图中可以看出，模型的温度最高点位于CPU的位置，其大小为60.249。℃。MCM 表面温度以CPU为中心向外逐步递减，温度轮廓线呈圆弧状，MCM温度最低点位于存储器一侧的两个拐角处。MCM 发热对PCB 的温度影响范围很小，在影响范围内PCB的温度以MCM 的位置为中心，温度以圆弧状向外逐步降低。通过红外热像仪测得该MCM 在典型工作模式下的最高温度为62.67℃，由公式1 可以算出误差为5.19 %，误差值比较小，说明笔者的模型和有限元分析方法能够比较精确地反映MCM 的温度分布，可以用于温度分析。 图5和图6分别是焊球和基板的温度分布图。从圈中可以看出，焊球和基板的温度分布基