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第5章常用半导体元件 习题
5.1晶体二极管
一、填空题:
1.半导体材料的导电能力介于
和
之间,二极管是将
封装起来,并分别引出
和
两个极。
2.二极管按半导体材料可分为
和
,按内部结构可分为_
和
,按用途分类有
、
、
四种。
3.二极管有
、
、
、
四种状态,PN
结具有
性,即
。
4.用万用表(R×1K档)测量二极管正向电阻时,指针偏转角度
,
测量反向电阻时,指针偏转角度
。
5.使用二极管时,主要考虑的参数为
和
二极管的反向击
穿是指
。
6.二极管按PN结的结构特点可分为是
型和
型。
7.硅二极管的正向压降约为
V,锗二极管的正向压降约为
V;硅二极
管的死区电压约为
V,锗二极管的死区电压约为
V。
8.当加到二极管上反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象
称为
现象。
9.利用万用表测量二极管PN结的
电阻值,可以大致判别二极管
的
、
和PN结的材料。
二、选择题:
硅管和锗管正常工作时,两端的电压几乎恒定,分别分为()。
A.0.2-0.3V
0.6-0.7V
B.0.2-0.7V
0.3-0.6V
C.0.6-0.7V
0.2-0.3V
D.0.1-0.2V
0.6-0.7V
2.判断右面两图中,UAB的大小为(
)。
A.0.6V0.3VB.0.3V0.6V
C.0.3V0.3VD.0.6V0.6V
3.用万用表检测小功率二极管的好坏时,应将万用表欧姆档拨到(
)
Ω档。
×102或1×103D.1×105
A.1×10
B.1×1000C.1
如果二极管的正反向电阻都很大,说明()。
A.内部短路 B. 内部断路
C.
正常
D.
无法确定
5. 当硅二极管加0.3V
A.很小电阻 B.
6.二极管的正极电位是
A.反偏 B.正偏
正向电压时,该二极管相当于 ( ) 。
很大电阻 C. 短路 D. 开路
-20V,负极电位是-10V,则该二极管处于(
C.不变D.断路
)。
7.当环境温度升高时,二极管的反向电流将( )
A.增大 B.减小C.不变D.不确定
8.PN结的P区接电源负极,N区接电源正极,称为(
)偏置接法。
A.正向 B.反向C.零
9.二极管正向导通的条件是其正向电压值( )。
A.大于0 B.大于0.3V
C.大于0.7VD.大于死区电压
10.点接触型二极管比较适用于( )。
A.大功率整流 B.小信号检波 C.大电流开关
11.面接触型二极管比较适用于( )。
A.大功率整流 B.高频检波 C.小电流开关
12.当硅二极管加上 0.4V正向电压时,该二极管相当于( )。
A.很小电阻 B. 很大电阻 C. 短路 D. 开路
三、判断题:
1.由P型半导体引出的电极是二极管的正极。( )
2.硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。 ( )
3.二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。 ( )
4.用万用表不同的电阻档测量正反向电阻,读数是不同的。 ( )
一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()
6.当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流通过。 ( )
7.当二极管的电流—电压关系特性可大概理解为正向导通、反向截止的特性。()
8.当二极管加正向电压时,二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。()
9.当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增大。
10.利用二极管的正向特性较陡的特点也能起到稳压作用。 ( )
11.二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。 ( )
12.当加在二极管两端的电压一定时,流经二极管的电流还会随环境温度的改变而改变。()
四、简答题
1.如何用万用表测量一个没有标明极性的二极管,并判断为何种材料制成以及
质量好坏。
分析与判断:如图所示,VD均为理想二极管,试判断二极管的工作状态并求
U0。
3、根据下图所示的电路,输入电压为Ui,若开关S在t1时刻闭合,在t2时刻断开,试画出负载电压UL波形。
5.2三极管
一、填空题:
1、半导体三极管是由
___________结两个PN结构成。
极
极
极三个电极,
结
2、要使三极管具有电流放大作用,发射结必须加
电压,集电结必须加
电压。
3、三极管按其内部结构分为
4、三极管三个电极的电流存在
5、三极管有三个工作状态,即
和
、
两种类型
关系。
和
状态,
状态具有放大作用。
6、三极管工作在截止状态时,相当于开关 ;工作在饱和状态时,相当
于开关 。
7、晶体三极管作共射组态时,其输入特性与二
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