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1;2;光学曝光方式;影响接近式曝光分辨率的因素;投影式曝光的光学分辨率;;光学技术中的景深与焦深;景深不足;焦深与分辨率的关系;极紫外曝光;X射线曝光用掩模;①对光学系统的改进,包括离轴照明技术、空间滤波技术;
②对掩模版技术的改进,包括移相掩模技术和光学邻近效应校正技术。; ;空间滤波技术;交替式移相掩模;光学邻近效应;★已确定某光刻胶在MTF等于0.4时具有分辨图形能力。若曝光工具NA=0.35,曝光波长为436nm和S=0.5。问:这个工具可分辨的最小特征尺寸是多少?聚焦深度(取k2=1)是多少?如果光源用i线(365nm)替换,这些数怎样变化?;★已确定某光刻胶在MTF等于0.4时具有分辨图形能力。若曝光工具NA=0.35,曝光波长为436nm和S=0.5。问:这个工具可分辨的最小特征尺寸是多少?聚焦深度(取k2=1)是多少?如果光源用i线(365nm)替换,这些数怎样变化?;(a)曝光;
(b)显影;
(c)电铸;
(d)将聚合物去除后得到金属微结构;
(e)注塑;
(f)脱模。;★形式一:日本日立公司采用的形式。 ;金属溶脱工艺过程;22;高分子量的PMMA在最顶层为成像层,低分子量的PMMA在底层。;LOR双层抗蚀剂显影剖面;用多层抗蚀剂工艺制作高深宽比结构;电子束曝光的邻近效应;电子束曝光系统;离子束曝光系统中用质量分析器;Vf;磁质量分析器的结构;聚焦离子束加工原理;聚焦离子束加工应用1:制作集成电路的剖面;用聚焦离子束连接绝缘层下金属导体;聚焦离子束对电路进行修理的实例;聚焦离子束加工应用3:修复光刻掩模;离子束曝光所用的掩模;离子束曝光所用的掩模——普通薄膜透射掩模;纳米压印技术;39;影响接近式曝光分辨率的因素;焦深与分辨率的关系;★已确定某光刻胶在MTF等于0.4时具有分辨图形能力。若曝光工具NA=0.35,曝光波长为436nm和S=0.5。问:这个工具可分辨的最小特征尺寸是多少?聚焦深度(取k2=1)是多少?如果光源用i线(365nm)替换,这些数怎样变化?;电子束曝光的邻近效应;Vf;纳米压印技术
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