第9章现代CMOS工艺基本流程 .pptxVIP

1;知识回顾;工艺集成;工艺集成;工艺的选择;一、集成电路中器件的隔离;LOCOS 隔离;LOCOS隔离工艺;LOCOS隔离工艺;10;11;2.1、集成电路对金属化材料特性的要求;13;Al/Si接触中的几个物理现象;(2) Al与SiO2的反应 Al与SiO2反应对于Al在集成电路中的应用十分重要： Al与Si接触时，可以“吃”掉Si表面的自然氧化层，使Al/Si的欧姆接触电阻降低； Al与SiO2的作用改善了集成电路中Al引线与下面SiO2的黏附性。;Al/Si接触中的尖楔现象; 1、 Al-Si合金 金属化引线 为了解决Al的尖楔问题，在纯Al中加入硅至饱和，形成Al-Si合金，代替纯Al作为接触和互连材料。但是，在较高合金退火温度时溶解在Al中的硅，冷却过程中又从Al中析出。硅从Al-Si合金薄膜中析出是Al-Si合金在集成电路中应用的主要限制: 2、铝- 掺杂多晶硅双层金属化结构 淀积铝薄膜之前，先淀积一层重磷或重砷掺杂的多晶硅薄膜，构成Al-重磷(砷)掺杂多晶硅双层金属化结构。 Al - 掺杂多晶硅双层金属化结构已成功地应用于nMOS工艺中。 3、铝-阻挡层结构 在铝与硅之间淀积一个薄金属层，替代重磷掺杂多晶硅层，阻止铝与硅之间的作用，从而抑制Al尖楔现象。这层金属称为阻挡层。 为了形成好的欧姆接触，一般采用双层结构，硅化物