如何设计出高能效、高可靠性和高功率密度的同步降压稳压器.docVIP

如何设计出高能效、高可靠性和高功率密度的同步降压稳压器 导语：?同步降压稳压器是一种常用的电源，随着各类应用要求的不断提高，行业越来越趋向于追求高能效、高可靠性、高功率密度的设计方案。 摘要：同步降压稳压器是一种常用的电源，随着各类应用要求的不断提高，行业越来越趋向于追求高能效、高可靠性、高功率密度的设计方案。比如应用于无线局域网的负载点(PoL)电源，输入电压越来越宽，工作频率、功率密度也越来越高，随着技术的发展，甚至可将整个电源系统集成在单个封装中。同步降压稳压器其电路结构本身非常简单，但工程师要完成高效可靠的同步降压稳压器的设计，还是有着不少的技术挑战，必须对稳压器电路的各种工作状态有着非常深入、透彻的了解，同时还需完成大量的计算工作。本文将介绍快速设计出高效可靠的同步降压稳压器的技术，以及安森美半导体的PowerSupplyWebDesigner在线设计工具，帮助工程师解决所面临的技术挑战。 1动态性能的设计 设计一个可靠的同步降压稳压器，首先必须满足其动态性能指标如负载响应能力。而输出电感、电容的选择会直接影响到稳压器的动态性能，所以同步降压稳压器的功率电路设计通常是从选择输出电感和电容开始。 1.1选择电感 从电路设计的角度，为实现快速瞬态响应，必须选择尽可能小的输出滤波电感和最小的输出电容。然而小的电感值会增加电感电流纹波，导致电感中有效电流值增加而使得导通损耗增大，同时所导致的峰值电流的增加，也会大大增加控制管的开关损耗。 使用大电感，可减小电感中的电流纹波，从而降低稳态输出电压纹波，所导致的低峰值电流也有助于降低MOSFET的开关损耗，但电感太大不仅会导致相对较大的直流阻抗，产生较高的电感损耗，还会降低稳压器的负载响应能力，从而降低稳压器的动态性能。 为选择适当的电感，通常可假定电流纹波ΔILO为电感平均电流的30%，然后根据下面的公式直接计算出合适的电感值。 tDEAD(ON)是在检测到Q1栅极关断和Q2VGs达到阈值之间的总的死区时间。 tDEAD(OFF)是在检测到Q2栅极关断和Q1导通之间的总的死区时。 tDEAD(ON)是在检测到Q1栅极关断和Q2开始导通之间,驱动器的内部调节的或可编程的延迟时间(自适应死区时间) tDEAD(OFF)是在检测到Q2栅极关断和Q1开始导通之间,驱动器的延迟。通常远远超过tDEAD(ON)以避免误触发Q2 PRgate是分布于Q2内部栅极阻抗的损耗。 PGDRV是储存在栅极电容的能量。 RDRV(SRC)是Q2导通(源电流)时Q2驱动的内部阻抗。 RDRV(SNK)是Q2关断(汲电流)时Q2驱动器的内部阻抗。 gFS是MOSFET的正向跨导 VSPEC是当MOSFET阻抗为RDS(ON)时的栅极电压。 CISS是当VDS接近0V时的输入电容,约为数据表中CISS典型值的1.25倍。 输出电容及反向恢复损耗与同步管Q2的Coss及Qrr有关,主要耗散于控制管Q1。如图4所示。 图4Q2的损耗对比 Q2的导通损耗PCOND随VIN升高而增加，开关损耗PSW只是随着VIN升高而略微增加。而Q2的寄生二极管导通损耗PDcond和栅极驱动损耗PRgate都与VIN无关。因此，当VIN为最大时，Q2损耗最大。 综上所述，当VIN为最大或最小时，Q1+Q2总的损耗最大。进行计算时，必须同时考虑Q1和Q2的相互影响。 3设计示例 以下通过一个设计示例,演示如何完成控制管Q1和同步管Q2的优化选择。如果要设计一个输出为5V、10A的同步降压稳压器，其输入电压VIN=8-16V，工作频率FSW=350kHz。考虑到20%的安全裕量及开关节点的电压振荡，可初步选择额定电压30V以上、额定电流IDCONT额定值≥10.3A的MOSFET。然后，根据具体的应用要求，确定MOSFET的封装要求。为简化演示，我们选择采用5x6mmPQFN(Power56)封装的器件。综合以上选择条件，安森美半导体的产品阵容中有超过150个器件供选择，我们需再进一步从中挑选出合适的Q1和Q2。同样为简化演示，我们将列出用于Q1和Q2的各12个器件。 图5 Q2的损耗对比 对于Q2，VIN=VINMAX时损耗最大。图5所示的12个器件中，FDMS7656AS有最低的最大损耗。但由于Q2寄生参数会影响Q1的开关损耗，最小Q2损耗通常并不意味着最佳的总能效。必须比较Q1及Q2的总功耗来找到最佳的Q2以实现最高能效。 图6 Q1的损耗对比 对于Q1，VIN=VINMAX或VINMIN时损耗最大。图6所示的12个器件中，FDMS8027S和FDMS8023S分别在VIN=VINMAX和VINMIN时有最低的最大损耗的Q1。 为优化转