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31 MOSFET MOSFET 的封装形式 32 MOSFET 工作原理: 由栅极 (Gate) 电压来改变导电沟道,从而 控制漏极 (Drain) 、源极 (Source) 之间的电流和 等效电阻,使场效应管处于截止或导通状态。 导通、关断条件 ? 导通条件:栅极加正电压 ? 关断条件:栅极电压为零或加负电压( -5V ) 33 MOSFET ? 优点 – 电流增益大,驱动功率小,驱动电路简单 ; – 开关速度很快,工作频率很高 ; – 正的电阻温度特性(负的电流温度特性), 易并联均流。 ? 缺点 – 通态电阻较大,通态损耗相应也大; – 单管容量难以提高,只适合小功率( 10KW 以下)。 1 开关电源技术(二) 第二章 常用元器件 一、电阻 二、电容 三、二极管 四、晶体管 五、 MOSFET 和 IGBT 2 开关电源技术(二) 无源器件 R C L T 有源器件 D Q MOSFET IGBT 3 开关电源技术(二) 电阻 Resistor 4 电阻 表面贴装 -SMD 直插型 5 电阻 氧化膜电阻 金属膜电阻 铝壳电阻 功率 线绕电阻 压敏电阻 贴片电阻 陶瓷电阻 碳膜电阻 径向 热敏电阻 高压片状玻璃釉 膜电阻 高压电阻 玻封热敏电阻 网络电阻 光敏电阻 可调电阻 6 贴片电阻 型号 尺 寸 (mm) 英寸 L W H M N RR1005 1.00 ± 0.10 0.50 ± 0.05 0.35 ± 0.05 0.20 ± 0.10 0.25 ± 0.10 0402 RR1608 1.60 ± 0.15 1.60 ± 0.15 0.50 ± 0.15 0.30 ± 0.15 0.30 ± 0.15 0603 RR2012 2.00 ± 0.15 1.25 ± 0.15 0.50 ± 0.15 0.40 ± 0.25 0.40 ± 0.25 0805 RR3216 3.20 ± 0.15 1.60 ± 0.15 0.55 ± 0.15 0.50 ± 0.25 0.50 ± 0.25 1206 7 贴片电阻 型号 额定功 率 (70 ℃) 使用温 度 最大工 作电压 最高负 荷电压 阻值范 围 阻值误差 电阻温度系数 J K 0402 1/32W -55 ℃ -- +125 ℃ 50V 100V 10Ω - 1MΩ ± 5 % ± 1% ± 250ppm/ ℃ (RR1005) 1/16W 25V 50V 100Ω - 1MΩ 0603 1/10W 50V 100V 10Ω - 10MΩ 100Ω - 1M ± 100ppm/ ℃ ± 200ppm/ ℃ 10Ω ± 250ppm/ ℃ 1MΩ ± 250ppm/ ℃ (RR1608) 1/16W 0805 1/10W 100V 200V (RR2012) 1/8W 1206 1/8W 200V 400V (RR3216) 1/4W 8 碳膜电阻 名 称 型号 功率 (W) 最高使 用电压 (V) 最高过 载电压 (V) 阻值误 差 (%) 阻值范围 (Ω) 温度系 数 (PPm/ ℃ ) 碳膜 电阻 RT13 0.125 200 400 ± 2 ± 1 ± 5 1Ω ~ 1MΩ 全 系列 +300/- 500 RT14 0.25 250 500 1Ω ~ 1MΩ 全 系列 RT15 0.5 350 700 1Ω ~ 1MΩ 全 系列 9 薄膜电阻 型号 RJ72 RJ73 RJ74 RJ16 RJ17 DIN-44061 0204 0207 0411 0617 0719 MIL-R- 1050 9F RN50 RN55 RN60 RN6
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