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第五章 存储系统及半导体存储器 主 要 内 容 半导体存储器的分类 随机存取存储器 只读存储器 CPU 与存储器的连接 微机中存储系统的结构 半 导 体 存 储 器 的 分 类 随机存取存储器 ? 双极性半导体 RAM ? 动态金属氧化物（ MOS)RAM 读写存储器 ? 掩膜式 ROM ? 可编程 ROM(PROM,Programmable ROM) ? 可擦除的 PROM （ EPROM ， Erasable Programmable ROM ） ? 电可擦除的 PROM （ E 2 PROM ， Electrically Erasable Programmable ROM ） 随 机 存 取 存 储 器 静态 RAM （ SRAM) ? 基本的存储电路 ? 典型的静态 RAM 芯片 6116 （ 2KB × 8 位）、 6264 （ 8KB × 8 位）、 62256 （ 32KB × 8 位）、 628128 （ 128KB × 8 位）等。 随 机 存 取 存 储 器 动态 RAM （ DRAM) ? 单管动态存储电路 ? 动态 RAM 的刷新 为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态 RAM 不断 进行读出和再写入 随 机 存 取 存 储 器 动态 RAM （ DRAM) ? 64K 位动态 RAM 存储器 芯片 2164A 的容量为 64K × 1 位，即片内共 有 64K （ 65536 ）个地址单元， 每个地址单 元存放一位数据。需要 16 条地址线，地址线 分为两部分：行地址与列地址。 芯片的地址引线只要 8 条，内部设有地址 锁存器，利用多路开关，由行地址选通信号 变低 （ Row Address Strobe ），把先出现 的 8 位地址，送至行地址锁存器；由随后出 现的列地址选通信号 （ Column Address Strobe ）把后出现的 8 位地址送至列地址锁 存器。这 8 条地址线也用于刷新（刷新时地 址计数，实现一行行刷新）。 RAS CAS 随 机 存 取 存 储 器 64K 存储体由 4 个 128 × 128 的存储矩阵构成。每 个 128 × 128 的存储矩阵，有 7 条行地址和 7 条列 地址线进行选择。 7 条行地址经过译码产生 128 条选择线，分别选择 128 行； 7 条列地址线经过 译码也产生 128 条选择线，分别选择 128 列。 随 机 存 取 存 储 器 锁存在行地址锁存器中的 7 位行地址 RA6 ～ RA0 同时加到 4 个存储矩阵上，在每 个矩阵中都选中一行，则共有 512 个存储 电路被选中，它们存放的信息被选通至 512 个读出放大器，经过鉴别、锁存和重 写。锁存在列地址锁存器中的 7 位列地址 CA6 ～ CA0 （地址总线上的 A 14 ～ A 8 ），在 每个存储矩阵中选中一列，则共有 4 个存 储单元被选中。最后经过 1/4 I/O 门电路 （由 RA7 与 CA7 控制）选中一个单元，可 以对这个单元进行读写。 只 读 存 储 器 只读存储器 ROM ，是一种非易失性的半 导体存储器件。其中所存放的信息可长 期保存，掉电也不会丢失，常被用来保 存固定的程序和数据。在一般工作状态 下， ROM 中的信息只能读出，不能写入。 对可编程的 ROM 芯片，可用特殊方法将信 息写入，该过程被称为“编程”。对可 擦除的 ROM 芯片，可采用特殊方法将原来 信息擦除，以便再次编程。 只 读 存 储 器 掩膜式 ROM 掩膜式 ROM 一般由生产厂家根据用户的 要求定制的。 只 读 存 储 器 可编程的 ROM 出厂时，所有存储单元的熔丝都是完好的。 编程时，通过字线选中某个晶体管。若准备写 入 1 ，则向位线送高电平，此时管子截止，熔 丝将被保留；若准备写入 0 ，则向位线送低电 平，此时管子导通，控制电流使熔丝烧断。换 句话说，所有存储单元出厂时均存放信息