Bi2Se3拓扑绝缘体材料的电子结构研究.docxVIP

毕业论文 题 目：屁晟拓扑绝缘体材料的电子结构研究 院（系）： 完成日期： 摘要 采用基于第一性原理的贋势平面波方法系统地计算了?,S対基态的 电子结构、态密度和能带结构以及理论模型，为尿S対的设计与应用提供了 理论依据,计算结果表明点勺属于间接带隙半导体.禁带宽度为0.其能带图 中有条价带，5条导带；其价带主要由SC的6fl以及的妙态电子构成.导带主 要由惣的6*以及Se的％态电子构成;其能带图中有条价带，6条导带. 关键词第一性原理电子结构理论模型态密度能带结构 、引言 按照导电性质的不同，材料可分为“金属和绝缘体”两大类；而更进一步, 根据电子态的拓扑性质的不同“绝缘体和“金属还可以