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STM32的FSMC灵活静态存储器控制器 FSMC（Flexihie Static Memory Controller）模块只适用于大容量产品。 FSMC模块能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡接口，主要将AHB传输信号转换到适当的外部设备协议，满足访问外部设备的时序要求。 存储器接口包括： ①SRAM静态随机存储器 ②ROM只读存储器 ③NOR闪存 ④PSRAM（4个存储块） ⑤两个NAND闪存块 ⑥16位PC卡 STM32之所以能够支持NOR FLASH和NAND FLASH两类访问方式完全不同的存储器扩展，是因为FSMC内部实际包括NOR FLASH和NAND / PC Card两个控制器，分别支持两种截然不同的存储器访问方式。在STM32内部，FSMC的一端通过内部高速总线AHB连接到内核Cortex-M3，另一端则是面向扩展器的外部总线。内核对外部存储器访问信号发送到AHB总线后，经FSMC转换为符合外部存储器通信规约的信号，送到外部存储器相应的引脚，实现数据交互。FSMC起着桥梁作用，既能进行信号类型的转换，又能进行信号宽度和时序的调整，屏蔽掉不同存储类型的差异，使之对内核而言没有区别。 FSMC模块框图如下： 存储块外设地址映射（具体说明请看数据手册，此处只用图表形式简单表示）： 下表为NOR/PSRAM存储块选择： 三个存储块可用于NAND或PC： 对于NAND闪存，空间可在低256K字节部分划分为三个区： 时序参数： FSMC通过使用可编程的存储器时序参数寄存器，拓展了可选用的外部存储器的速度范围。FSMC的NOR FLASH控制器支持同步和异步突发两种访问方式。 选用同步突发访问方式时，FSMC将系统时钟HCLK分频后，发送给外部存储器作为同步时钟信号FSMC_CLK。此时需要设置的时间参数有两个：CLK的分频系数和访问中获得第1个数据所需要的等待延迟（DATLAT）。 选用异步突发访问方式时，FSMC主要设置3个时间参数：地址建立时间（ADDSET），数据建立时间（DATAST）和地址保持时间（ADDHLD）。 异步NOR FLASH时序模式2时间参数计算公式如下： 式中Twc和Trc为所选存储器芯片的写周期长度和读操作周期长度；Twp为所选存储器芯片的写信号持续长度。 为达到更好的控制效果，还应考虑FSMC自身延迟问题，使用校正公式： 式中TAVQV为所选存储器芯片访问过程中，从地址有效至数据有效的时间域；Tsu(Data_NE)为STM32特征参数，从数据有效到FSMC_NE失效时间域，Ttv(A_NE)为STM32特征参数，从FSMC_NE有效至地址有效的时间域。 关于FSMC的其它配置这里就不多说了，下面以TFT屏（ILI9325）的驱动举个例子。 TFT_RS —— PE2/A23TFT_WR —— PD5/NWETFT_RD —— PD4/NOE数据线连接FSMC的数据接口，TFT屏背光使用PWM控制。 例程如下： #define TFT_Command((uint32_t)0#define TFT_Data((uint32_t)0// FSMC_A23(16位)注意16位与8位的地址计算方式不一样//8位地址 ——0//16位地址——0/*-------------------------------------------------------------------------------*/ void TFT_IO_Configuration(void){GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5| GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15// | GPIO_Pin_7| GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10;GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;GPIO_Init(GPIOD, GPIO_InitStructure);GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10| GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin