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达林顿管的检测方法和参数 达林顿晶体管 DT （Dar1ington Transistor ）亦称复合晶体管。它采用复合过接方式， 将两只或更多只晶体管的集电极连在一起， 而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶 体管的基极，依次级连而成，最后引出 E、B、 C三个电极。 图 1 是由两只 NPN或 PNP型晶体管构成达林顿管的基本电路。 假定达林顿管由 N 只晶体 管（ TI-Tn ）组成，每只晶体管的放大系数分别这 hFE1、 hFE2、hFEn。则总放大系数约等于 各管放大系数的乘积： hFE≈hFE1·hFE2……hFEn 因此， 达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到几千倍，甚至几十万倍。 利用它不仅 能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出， 构成达林顿功率开关管。 在光 电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型， 内部无保护电路，