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- 2021-03-26 发布于天津
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光电技术习题第一章第一部分已知表示光电导体的灵敏度的光电增益式中为量子产额为光生载流子寿命为载流子在光电导两极间的渡越时间如果在光电导体中自由电子与空穴均参与导电请推导式中和分别为自由电子和空穴的寿命和分别为自由电子和空穴的迁移率答简答型与型半导体杂质能级区别答型半导体掺有价的杂质原子如磷砷杂质引进的额外的电子占有恰在导带下方的某些分立的能级其距离可为十分之几电子伏特这些额外的电子容易被杂质原子释放出来并被激发至导带于是激发电子对半导体的电导率有贡献型半导体掺有价的杂质原子如硼铝杂质引进空的分立
《光电技术》习 题第一章
第一部分 :
1． 已知表示光电导体的灵敏度的 G(光电增益) = βτ / tL ，式中β为量子产额； τ 为光生载流子寿命； tL 为载流子在光电导两极间的渡越时间，如果在光电导体中自 由电子与空穴均参与导电，请推导： G = β(τnμn +τpμp )U/l2 式中τ n 和τp 分别为自由电子和空穴的寿命；μ n 和μp 分别为自由电子和空穴 的迁移率。
答： G=βτ /tL
tL=l/μ E=l2/μU
G=βτμ U/l2
2
G = β (τ nμ n +τpμ p )U/l 2
2． 简答 P 型与 N 型半导体杂质能级区别 .
答： N 型半导体
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