晶振原理及匹配系数讲解.pptVIP

石英晶振的原理及系数匹配 一：石英晶振的原理 二：膜厚控制仪原理 三：使用晶振片的注意事项 四：匹配系数的调节 一 : 石英晶振的原理 ? 一台镀膜设备往往同时配有石英晶体振荡监控法和光学膜厚 监控法两套监控系统，两者相互补充以实现薄膜生产过程中 工艺参数的准确性和重复性，提高产品的合格率。 ? 石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或与频率有关的参量 的变化而监控淀积薄膜的厚度。石英晶体法监控膜厚，主要 是利用了石英晶体的两个效应，即压电效应和质量负荷效应。 ? 石英晶体是离子型的晶体，由于结晶点阵的有规则分布，当 发生机械变形时，例如拉伸或压缩时能产生电极化现象，称 为压电现象 ，反之一样。 ? 石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸，切割 类型，而且还取决于芯片的厚度。当芯片上镀了某种膜层， 使芯片的厚度增大，则芯片的固有频率会相应的衰减。石英 晶体的这个效应是质量负荷效应。 ? 用于石英膜厚监控用的石英芯片采用 AT 切割，对于旋 光率为右旋晶体，所谓 AT 切割即为切割面通过或平行于 电轴且与光轴成顺时针的特定夹角。 AT 切割的晶体片其 振动频率对质量的变化极其灵敏，但却不敏感于温度的 变化。这些特性使 AT 切割的石英晶体片更适合于薄膜淀 积中的膜厚监控。 ? 石英晶体的固有频率 f 不仅取决于几何尺寸和切割类型， 而且还取决与厚度 d ，即 f=N/d N 是取决与石英晶体的几何尺寸和切割类型的频率常数。 对于 AT 切割的石英晶体， N=f · d=1670Kc· mm 。 镀膜时质量增量产生的晶体频率变化 物理意义是：若厚度为 d 的石英晶体厚度改变 △ d ，则晶 振频率变化 △ f 。 2 d d N f ? ? ? ? ? 为了把石英晶体厚度增量△ d 变成厚度增量△ d M , 可利用关系 式 A 是受镀面积， ρ M 为膜层密度， ρ Q 为石英密度等于 2.65g/cm 3 。 于是 △ d= （ ρ M / ρ Q ） △ d M ， 所以 从而建立了△ f 与△ d M 之间的线性关系因此我们可以借助检测 石英晶体固有频率的变化，实现对膜厚的监控。 ? 石英晶体膜厚控制仪有非常高的灵敏度，可以做到埃 () 数量级， 显然晶体的基频越高，控制的灵敏度也越高，但基频过高时， 晶体片会做得太薄，太薄的芯片易碎。 ? 所以一般选用的晶体片的频率范围为 5~10MHz 。在淀积过程 中，基频最大下降允许 2~3% ，大约几百千赫。基频下降太多， 振荡器不能稳定工作﹐产生跳频现象。如果此时继续淀积膜 层，就会出现停振。为了保证振荡稳定和有高的灵敏度，晶 体上膜层镀到一定厚度后，就应该更换新的晶振片。 d A d A m Q M M ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? M Q M d N f f ? ? ? ? ? 2 ? ? ? 此图为膜系镀制过程中部分频率与厚度关系图。 ? 膜厚控制仪用电子组件引起晶振片的高速振动，约每秒 6 百 万次（ 6MHz ），镀膜时，测试每秒钟振动次数的改变，从 所接受的数据中计算膜层的厚度。为了确保晶振片以 6MHz 的速度振动，在真空室外装有“振荡器”，与晶控仪和探头 接口连接，振荡器通过迅速改变给晶振片的电流使晶振片高 速振动。一个电子信号被送回晶控仪。 晶控仪中的电路收到 电子信号后，计算晶振片的每秒振速。这个信息接着传送到 一个微处理器，计算信息并将结果显示在晶控仪上： 1 ）沉积速率 (Rate) （埃 / 秒） 2 ）已沉积的膜厚 (Thickness) （埃） 3 ）晶振片的寿命 (Life) (%) 4 ）总的镀膜时间 (Time) （秒） 更加精密的设备可显示沉积速率与时间的曲线和薄膜类型。 二：膜厚控制仪原理 ? 我们可以将许多参数输入晶振仪以保证测量和镀膜过程的精 确控制： 1 ）薄膜序号，用于输入膜层或定义材料参数 2 ）目标膜厚或 最大沉积速率 3 ）镀膜时间 4 ）薄膜密度 (DENS) 5 ）校正系数 (Tooling) 用于校正晶振片或基片位置产生的误差 Tooling 测定：放基片（测试片）在球罩的通常位置，确认当 做 Tooling 校正时 Tooling 被设置为