半导体电导率和霍尔效应.pptxVIP

固体理论;;杂质半导体载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度决定。;对于杂质浓度一定的半导体，随温度升高，载流子以杂质电离为主过渡到以本征激发为主。相应地费米能级从位于杂质能级附近移到禁带中线处。 费米能级既反映导电类型，也反映掺杂水平。 ;1. 半导体电导率 ;平均漂移速度和外场的关系;GaN新的散射机制;杂质激发的范围，主要是一种载流子;;2. 半导体的霍耳效应 Hall effect ;半导体片两端形成正负电荷的积累，产生静电场;—— 半导体的霍耳系数与载流子浓度成反比 —— 半导体的霍耳效应比金属强得多;5.5 非平衡载流子 ;⒈ 热平衡下电子和空穴的浓度:;在外界的影响作用下，电子和空穴浓度可能偏离平衡值;⒉ 非平衡载流子对多子和少子的影响程度 ;—— 开始光照，载流子的产生率增大，同时复合率也增大 载流子的浓度偏离热平衡时的浓度;—— 单位时间、单位体积复合的载流子数目;⑵非平衡载流子的寿命?的意义： ;2) 非平衡载流子的寿命?越大，光电导效应越明显;3) 非平衡载流子的寿命?对光电导效应有着重要的意义，通 过测量光电导的衰减，可以确定非平衡载流子的寿命;2. 非平衡载流子的扩散 ;⑴一维扩散电流的讨论：;非平衡载流子的扩散是热运动的结果;方程的通解;5.6 PN 结 (自学）： ;1. 平衡PN结势垒 ;N区和P区的费密能级不相等，