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第一章 CMOS集成电路工 艺基础 ;1、半导体材料：; 第一节 集成电路材料 1、材料分类： 从电阻率上分，固体分为三大类。在室温下： 金属： ρ10 Ω·cm 半导体：ρ=10 Ω·cm~10E4 Ω·cm 绝缘体：ρ10E4 Ω·cm ;2．材料的温度特性 一般金属的导电能力随温度上升而下降，且变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而增加，且变化非常明显。 举个例子： Cu：30?C ?100?C ?增加不到一半（正温度系数） Si：30?C ? 20?C ?增加一倍 （负温度系数）;3．半导体材料的主要特性;B）当半导体受到外界热的刺激时，其导电能力发生显 著变化。利用此特性可以制作热敏器件。同时也要求半导体电路中必须要有温度补偿措施。 C）半导体的导电能力随光照而发生显著变化， 利用此特性可以制作光敏器件。 D）半导体的导电能力随外加电场、磁场的作用 而发生变化;4．半导体材料介绍;C） 磷化铟 也是III/IV族化合物 主要应用于光纤系统中 制作发光器件和OEIC 工艺制造技术不时非常成熟;5．绝缘材料的作用 在集成电路系统中，主要的绝缘材料有： SiO2、SiON、SiN4 主要功能： 1）器件之间、有源层、导线层之间的绝 缘层。 2）离子注入和热扩散时的隔离层 3）生成器件表面的钝化层，保护器件不受外 界的影响。;6．金属材料的作用 主要功能： 1）器件本身的接触线 2）器件间的互连线 3）形成焊盘（PAD），封装接口 目前最常用的是AL 在高性能的芯片生产工艺采用Cu 随着工艺的发展，线宽越来越细，采用低电阻率的金属和合金成为发展方向。 金属布线层次越来越多，最多可达7~8层;第二节 半导体基础知识;2.2 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体称为本征半导体。 本征半导体中载流子的浓度在室温下： T＝300K ;2.3、P型和N型半导体 两种载流子：带负电荷的电子和带正电荷的空穴。 当硅中掺入Ⅴ族元素P时，硅中多数载流子为电子，这种半导体称为N型半导体。 当硅中掺入Ⅲ族元素B时，硅中多数载流子为空穴，这种半导体称为P型半导体。;第三节 集成电路制造基本工艺 3.1、氧化工艺 *把裸露的硅片放高温氧气氛中,就会生成SiO2 *氧化层可以分为栅氧和场氧 *栅氧: 它的厚度一般在几百A左右,对器件的性能影响大 *场氧: 它的厚度一般在几千A左右,绝缘和隔离的作用.;氧化炉 ;改进的氧化炉 ;3.2、掺杂工艺 在衬底材料上掺入五价磷或三价硼，以改变半导体材料的电性能。形成N或P型半导体. 掺杂过程是由硅的表面向体内作用的。 目前，有两种掺杂方式：扩散和离子注入。 ;1. 扩散：扩散炉与氧化炉基本相同，只是将要掺入的杂质如P或B的源放入炉管内。 扩散分为两步： STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片表面。 STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅片内部。 实验分析表明：P的浓度分布可由下式表示： 其中，NT：预淀积后硅片表面浅层的P原子浓度 D：P的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度 只要控制NT 、T、t 三个因素就可以决定扩散深度及浓度。;2．离子注入 ;其中： 离子注入的分布有以下两个特点： 1．离子注入的分布曲线形状（Rp，бp），只与离子的初始能量E0有关。并杂质浓度最大的地方不是在硅的表面，X＝0处，而是在X＝Rp处。;2．离子注入最大值Nmax与注入剂量NT有关。 而E0与NT都是可以控制的参数。 因此，离子注入方法可以精确地控制掺杂区域的浓度及深度。 ;3.3．淀积和刻蚀工艺 淀积工艺主要用于在硅片表面上淀积一层材料， 如金属铝、多晶硅及磷硅玻璃PSG(隔离互连层)等。 3.3.1、金属化工艺 淀积铝也称为金属化工艺，它是在真空设备中进行的。在 硅片的表面形成一层铝膜。;CMOS集成电路工艺基础;3.3.2、淀积多晶硅 淀积多晶硅一般采用化学汽相淀积（LPCVD）的方法。利用化学反应在硅片上生长多晶硅薄膜。 适当控制