VLSI设计基础复习资料...docxVIP

PAGE PAGE # VLSI 设计基础复习资料 1. 为什么 CMOS （含 BiCMOS ）工艺成为 VLSI 主流工艺？其最大特点是什么？ 在微电子技术领域， 集成电路的制造有两个主要的实现技术： 双极技术与 MOS 技术。CMOS以其结构简单，集成度高，耗散功率小等优点，成为当今 VLSI制造 的主流技术。其最大特点是耗散功率小。 说明 MOS 器件的基本工作原理。它与 BJT 基本工作原理的区别是什么？ MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压Vgs实现对水平Ids的控制。 它是多子（多数载流子）器件。用跨导描述其放大能力。 双极型晶体管（BJT）是利用发射结、集电结成的体内器件，由基极电流控制集 电极电流的两种载流子均起作用的器件。用电流放大系数描述其放大能力。 为什么说硅栅工艺优于铝栅工艺？ 硅栅工艺是利用重掺杂的多晶硅来代替铝做为 MOS管的栅电极，使MOS电路 特性得到很大改善，它使|Vtp|下降1.1V，也容易获得合适的Vtn值并能提高开关速 度和集成度。硅栅工艺具有 自对准作用 ，这是由于硅具有耐高温的性质。栅电极， 更确切的说是在栅电极下面的介质层，是限定源、漏扩散区边界的扩散掩膜，使栅 区与源、漏交迭的密勒电容大大减小，也使其它寄生电容减小，使器件的频率特性 得到提高。另外，在源、漏扩散之前进行栅氧化，也意味着可得到 浅结。铝栅工艺 为了保证栅金属与漏极铝引线之间看一定的间隔，要求漏扩散区面积要大些。而在 硅栅工艺中覆盖源漏极的铝引线可重迭到栅区，这是因为有一绝缘层将栅区与源漏 极引线隔开，从而可 使结面积减少 30%-40% 。硅栅工艺还可提高集成度，这不仅 是因为扩散自对准作用可使单元面积大为缩小，而且因为硅栅工艺可以使用 二层 半布线”即一层铝布线，一层重掺杂多晶硅布线，一层重掺杂的扩散层布线。由于 在制作扩散层时，多晶硅要起掩膜作用，所以扩散层不能与多晶硅层交叉，故称为 两层半布线?铝栅工艺只有两层布线：一层铝布线，一层扩散层布线。硅栅工艺由 于有两层半布线，既可使芯片面积比铝栅缩小 50%又可增加布线灵活性。 金腐彌楼融 I二氧毬蔗場卄质 金屈和接抽 当然，硅栅工艺较之铝栅工艺复杂得多，需增加多晶硅淀积、等离子刻蚀工序， 而且由于表面层次多，台阶比较高，表面断铝，增加了光刻的困难，所以又发展了 以 Si3N4 作掩膜的局部氧化 LOCOS (Local Oxidation Isolation for MOSIC)工艺，或 称等平面硅栅工艺。 画出MOS器件的输出特性曲线。指出 MOS器件和BJT输出特性曲线的异同。 双极性晶体管的输出特性曲线形状与 MOS器件的输出特性曲线相似，但线性 区与饱和区恰好相反。MOS器件的输出特性曲线的参变量是 Vgs，双极性晶体管 的输出特性曲线的参变量是基极电流Ib。 z MOW m ha iJte； 一 七 祝F牛 吐打盘足 画出增强型(Enhancement) NMOS晶体管和耗尽型(Depletion)NMOS晶体管的 输出特性曲线。标出它们阈值电压 VT(Threshold voltage)、 夹断电压 Vp (pinch-off)的符号。 耗尽型NMOS晶体管夹断电压Vp的符号为负。增强型NMOS晶体管阈值电压 VT的符号为正 杳 电洌已一曲蔭临 杳 电洌已一曲蔭临 列出影响MOS晶的阈值电压Vt的因素。为什么硅栅NMOS器件相对于铝栅 NMOS器件容易获得增强型器件？ 第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅 (栅氧化层)中的电荷Qss以及 电荷的性质。第二个影响阈值电压的因素是衬底的掺杂浓度。 第三个影响阈值电压的因素是由栅氧化层厚度 tox决定的单位面积栅电容的大小。 第四个对器件阈值电压具有重要影响的参数是栅材料与硅衬底的功函数差 ①MS的 数值。铝栅的OMS为-0.3V硅栅为+0.8V。所以硅栅NMOS器件相对于铝栅NMOS 器件容易获得增强型器件。 写出MOS晶体管的线性区、饱和区和截止区的电流 -电压特性方程。何谓萨式 方程？ 萨式方程就有MOS晶体管的电流-电压特性方程。 说明MOS晶体管的最高工作频率同栅极输入电容之间的关系。 MOS晶体管的最高工作频率栅极输入电容正比于栅区面积乘单位面积栅电容。 什么是MOS晶体管的衬底偏置效应？ CMOS倒相器有衬底偏置效应吗？ 当MOS晶体管的源极和衬底不相连时，即 VBS (Bulk-Source)工0的情况，由基本的 pn结理论可知，处于反偏的pn结的耗尽层将展宽。由于栅电容两边电荷守衡，所 以，在栅上电荷没有改变的情况下，耗尽层电荷的增加，必然导致沟道中可动电荷 的减少，从而导致导电水平下降。若要维持原有的导电水平，必须增加栅压，即增 加栅上的电荷数。对器件而