红外焦平面阵列技术发展现状与趋势图文稿.docx

文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688] 文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688] 红外焦平面阵列技术发展现状与趋势 红外焦平面阵列技术发展现状与趋势 跨入二十一世纪以来，红外热摄像技术的发展已经历了三十多个年头。其发展已从当初的扫描机构发展到了目前的全固体小型化全自扫描凝视摄像，特别是非致冷技术的发展使红外热摄像技术从长期的主要军事目的扩展到诸如工业监控测温、执法缉毒、安全防犯、医疗卫生、遥感、设备先期性故障诊断与维护、海上救援、天文探测、车辆、飞行器和舰船的驾驶员夜视增强观察仪等广阔的民用领域。 　 　红外热摄像技术的发展速度主要取决于红外探测器技术取得的进展。三十年来，红外探测器技术已从第一代的单元和线阵列发展到了第二代的二维时间延迟与积分 （TDI）8～12μm的扫描和3～5μm的640×480元InSb凝视阵列，目前正在向焦平面超高密度集成探测器元、高性能、高可靠性、进一步小型 化、非致冷和军民两用技术的方向发展，正在由第二代阵列技术向第三代微型化高密度和高性能红外焦平面阵列技术方向发展。 1发展现状 　　1.1超高集成度的焦平面探测器像元 　　像可见光工业应用使其具有大批量生产的能力，因而几年来日益受到重视，美国器无限公司在DARPA和NVESD支持下正在加速发展这种非致冷的红外焦平面阵列和摄像机技术，其阵列尺寸已达到320×240元。　 　　·HgCdTe阵列：由于军用目的的需求，过去这种材料焦平面阵列技术的发展主要集中于中波和长波红外波段应用，但洛克威尔国际科学中心却一直在发展 1～3μm波段工作的HgCdTe焦平面阵列技术，其主要目的是天文和低背景应用，该中心在90年代中期已制出HQWAⅡ-11024×1024元阵 列，目前已研制成功世界上最大的HQWAⅡ-2型2048×2048元的阵列，该中心正在计划研制4096×4096元的特大型阵列。 在3～5μm的中波红外焦平面阵列方面：中波红外焦平面阵列技术的发展一直是红外焦平面中发展最快的，主要有PtSi、InSb和HgCdTe三种阵列，其阵列规模已达到2048×2048元（400万元）。 　 　·PtSi阵列已形成大批量生产能力，典型阵列有640×480，801×512，1024×1024，1040×1040，柯达公司新近推出的产品高 达1968×1968元，其阵列规模已接近于400万元，HgCdTe中波焦平面阵列是目前所有焦平面中波工作阵列中集成度高，最引人注目的，洛克威尔国 际科学中心在这方面的发展处于世界领先地位，除了640×480和1024×1024元的天文应用阵列外，近期已准备提供用户使用的阵列为 2048×2048元，并正在采用拼接技术研制4096×4096元的阵列，但工作温度低于77K。 　　·InSb阵列是这个波段应用中深受重视的器件，主要是低背景天文应用阵列规格达1024×1024元，典型阵列还有640×480和640×512元。 　 　在长波红外焦平面阵列方面，主要集中于HgCdTe，GaAlAs/GaAs多量子阱阵列，SiGe异质结构阵列和非致冷红外焦平面阵列四种。 HgCdTe阵列的发展一直较为缓慢，近几年主要集中于GaAlAs/GaAs量子阱列和非致冷工作的红外焦平面阵列技术，发展极快，阵列规模已达到了 640×480元。 　　·HgCdTe焦平面阵列技术，由于这种材料的电学特性，进展一直较为缓慢，长波HgCdTe焦平面阵列规模仅为256×256元。　 　·GaAlAs/GaAs阵列是最近几年来发展最快的，研究的国家公司机构很多，如美国的洛克希德-马丁、洛克威尔国际科学中心，雷声、喷气式推进实验 室和空军研究实验室等，日本的三菱电机和NTT，法国的汤姆逊和瑞典、加拿大、以色列的不少公司竟相研制发展，其中以喷气式推进实验室、雷声和洛克希德- 马丁公司的进展最快，目前的阵列尺寸已达到640×484元，已评估了1024×1024元的双色阵列，正在水平集成四色阵列。 　　 ·GeSi/Si异质结构红外焦平面阵列6，其工作机理类同于PtSi阵列。MBE技术的发展，为GeSi/Si、InSb和InGaAs、 GaAlAs、HgCdTe等高性能大型阵列发展提供了先进的制作技术。麻省理工学院和林肯实验室已制作了320×240元和400×400元的阵列，日 本三菱电机公司的阵列规模已达到了512×512元，只是目前GeSi/Si阵列工作温度明显低于77K。　　·非致冷红外焦平面阵列， 由于近几年来取得的突破性进展，器件和整机系统