深圳大学微电子学基础原理第三章双极型晶体管.pptVIP

微电子学基础理论;目录;3.1 晶体管的结构与工作原理 3.1.1晶体管的基本结构; 3.1.2晶体管的制备与杂质分布; 3.1.2晶体管的制备与杂质分布;; 3.1.3晶体管的工作原理; 3.1.3晶体管的工作原理;晶体管的放大能力;晶体管的放大能力;3.2 晶体管的电流放大特性 ;3.2.1 晶体管的能带、浓度分布及载流子的传输 ; 3. 载流子的输运过程 （1）根据正向PN结特性，发射区注入基区靠发射结边界X2处的电子浓度为 由基区注入发射区靠发射结边界X1处的空穴浓度为 （2） 根据反向PN结特性，集电结两边界X3和X4处的少子浓度分别为 ;3.2.2 晶体管内的电流传输与各端电流的形成 ; 2. 晶体管各端电流的形成 （1） 发射极电流IE 从上面的分析与讨论可知，发射极的正向电流IE是由两股电流组成的： IE=Ip(X1)+ In(X2) （3-8） （2） 基极电流IB 基极电流IB是由三部分组成的： IB= Ip(X1)+ IVB-ICBO