2021高职 集成电路开发及应用 试题（赛项赛题）.docxVIP

PAGE PAGE 9 GZ-2021***集成电路开发及应用赛项赛题库 集成电路开发及应用赛项来源于集成电路行业真实工作任务，由“集成电路设计与仿真”、“集成电路工艺仿真”、“集成电路测试”及“集成电路应用”四部分组成。 第一部分 集成电路设计与仿真 根据图1所示的状态转移图（状态值随机抽取，CP上升沿触发状态迁移），使用Multisim 14.1 Education Edition设计集成电路，并进行功能仿真。现场评判时，只允许展示已完成的电路图、现场运行并展示出时序图、现场生成并展示元件清单，不能进行增加、删除、修改、连线等操作。电路设计要求如下： 1.只能选用ZVP2106G和ZVN2106G两种元器件进行设计 2.添加电源、信号源、仪表，标注Q0、Q1、Q2、CP信号标号，能直接运行并展示出包含两个周期序列状态的完整的数字分析时序图。 图1集成电路设计状态转移图 3.最终设计的集成电路包含1个CP时钟输入端，3个信号输出端Q0、Q1、Q2，三者由低到高组成状态S，S共包含8种不同的状态S0~S7，各状态对应的Q0、Q1、Q2值由比赛现场裁判长抽取的任务参数确定。 说明： （1）本设计采用Multisim 14.1 Education Edition进行设计。 Multisim 14.1 Education Edition版本推荐官方下载地址如下：/zh-cn/shop/electronic-test-instrumentation/application-software-for-electronic-test-and-instrumentation-category/what-is-multisim/multisim-education.html。 （2）最终设计的集成电路要求具体由比赛现场裁判长抽取的任务参数确定。 （3）现场评判时： 1）仅展示已完成的电路图. 2）现场运行并展示出包含全部输入状态的完整的时序图. 3）现场生成并展示元件清单，不得进行增加、删除、修改、连线等操作。 第二部分 集成电路工艺仿真 一、集成电路制程工艺 所涉及的典型集成电路制造工艺流程和典型工艺方法包含但不限于以下表述： 1.集成电路设计流程、硅片制备流程、热氧化工艺流程、光刻工艺流程、CMOS工艺流程等集成电路典型制造工艺流程，SiO2制备工艺方法、薄膜淀积方法等典型集成电路制造工艺方法，数字、模拟集成电路基本设计步骤等。 2.赛题以选择题（单项选择及多项选择）及填充题形式呈现，题目以文字，图片及视频形式呈现。具体试题数量由专家组命制赛题时确定。 二、集成电路晶圆MAP图标定 所涉及芯片类型仅限于以下表述：74HC系列、74LS系列、CD40系列、CD45系列、LM系列运算放大器、TL系列运算放大器、A/D转换器、D/A转换器、直流稳压电路、功率集成电路及时基电路。 （1）芯片测试环境设置：在软件上进行给定芯片测试前软硬件环境的主要操作。 = 1 \* GB3 ①选择给定芯片标定所需探针台； = 2 \* GB3 ②选择合适的探针台运行步进值； = 3 \* GB3 ③选择正确的测试运行程序。 （2）芯片电参数测试：通过软件对晶圆上各芯片逐个进行电参数测试，选手需根据屏幕上出现的电参数表判断并在MAP图中标定对应芯片的好坏，电参数符合要求则标定为Pass片，电参数不符合要求则标定为Fail片。 （3）芯片外观检查：通过软件对经过电参数测试后的Pass片逐个进行外观检查，若芯片外观有瑕疵，在MAP图中标定对应芯片为Fail片。 （4）提交MAP图。 注：比赛赛题的示例如竞赛规程样题所示。 第三部分 集成电路应用 一、比赛要求 选手利用现场提供的集成电路应用装置，编写符合要求的测试程序，实现任务书要求的相关功能。 二、比赛内容 1.本任务涉及的模块可能包含： （1）主控板单元：基于Cortex-M0内核（如LK32T102）或者Cortex-M3内核（如STM32F103VET6）；从支持国产集成电路的角度出发，同等条件下，比赛考虑优先支持使用国产自主知识产权的芯片，具体型号在赛项说明会时发布。 （2）显示单元：12864液晶模块（串行接口），LED数码管； （3）信号调理单元：模拟信号调理； （4）执行对象：直流电机或者舵机（采用PWM方式控制）等； （5）键盘单元：4*4键盘； （6）传感器：电阻应变片式压力传感器，温度传感器，超声波传感器，红外测温传感器等常见传感器； （7）比赛现场下发相关资料。 2.竞赛任务： （1）选手根据现场下发的任务要求，完成集成电路应用装置相关电路板的装配和连接。 （2）选手根据任务书要求，需要将传感器接入信号调理单元，借助于主控板完成相关参数的采集、标定和调试； （3）根据现