固体物理学_半导体电子论之电导和霍耳效应讲义..docxVIP

07 04 07 04电导和霍耳效应 半导体电子论 01/10 07 04 07 04电导和霍耳效应 半导体电子论 01/10 07_04电导和霍耳效应 1半导体电导率 在一般电场情况下，半导体的导电服从欧姆定律 j = aE ——o■为电导率 一半导体中可以同时有两种载流子 电流密度 j二nq\_ + pq\+ v+, v_—一空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 07 04 07 04电导和霍耳效应 07 04 07 04电导和霍耳效应 电流密度 本电子论 07 04 07 04 电导和霍耳效应 半导体电子论 07 04 07 04 电导和霍耳效应 半导体电子论 电导率 cr 二 nq/n_ + pg“+ 载流子漂移运动——是电场加速和半导体中散射的结果 散射来自于晶格振动和杂质 ——温度较高时，晶格振动对载流子的散射是主要的 — 温度较低时，杂质的散射是主要的 迁移率一方面决定于有效质量加速作用 迁移率一方面决定于有效质量 加速作用 另一方面决定于散射几率 杂质激发的范围，主要是一种载流子a = 掺杂不同的Ge半导体一导电率随温度变化 1）低温范围 杂质激发的载流子起主要作用 载流子的数目与 掺杂的情况有关 L.Temperature Inal H ? T emperature Germaniuiti Samples with diffbrbnt doping 1/