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2021-04-07 发布于天津
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模拟电子技术基础试卷及参考答案在本征半导体中加入元素可形成型半导体加入元素可形成型半导体五价四价三价稳压管的稳压区是其工作在正向导通反向截止反向击穿当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为前者反偏后者也反偏前者正偏后者反偏前者正偏后者也正偏当温度升高时二极管的反向饱和电流将增大不变减小时能够工作在恒流区的场效应管有结型管增强型管耗尽型管直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是电阻阻值有误差晶体管参数的分散性晶体管参数受温度影响电源电压不稳定选用差分放大电路的原因是克服温漂提高输入电阻稳定放大

模拟电子技术基础》试卷及参考答案 1、在本征半导体中加入元素可形成 N 型半导体，加入元素可形成 P 型半导体。五价 B. 四价 C. 三价 2、稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 TOC \o 1-5 \h \z 3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏前者正偏、后者反偏前者正偏、后者也正偏 4、（ 2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5、UGS＝ 0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS

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