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向量是怎么产生的？ DFT产生的向量(EVCD/VCD), ATPG (WGLO),再转成测 试向量 还是手写的Pattern? 如果是DFT转的向量，谁来实现VCD-Pattern的工作？ 目前测试向量的数量和描述 目前的测试报告 芯片的SPEC 芯片的工艺，在哪里流的片？ Loadboard,同测数？频率？ 是否做过PWL? 芯片的封装形式？( ) 芯片测试 特征分析：保证设计的正确性，决定器件的性能参数； 特征分析测试，包括门临界电压、多域临界电压、旁路电容、 金属场临界电压、多层间电阻、金属多点接触电阻、扩散层 电阻、接触电阻以及FET寄生漏电等参数测试。 通常的工艺种类包括： TTL TOC \o 1-5 \h \z ECL CMOS NMOS Others 通常的测试项目种类： 功能测试：真值表，算法向量生成。 直流参数测试：开路/短路测试，输出驱动电流测试，漏电电 源测试，电源电流测试，转换电平测试等。 交流参数测试：传输延迟测试，建立保持时间测试，功能速 度测试，存取时间测试，刷新/等待时间测试，上升/下降时 间测试。 直流参数测试 直流测试（DC）是基于欧姆定律的用来确定器件电参数 的稳态测试方法。比如，漏电流测试就是在输入管脚施加电 压，这使输入管脚与电源或地之间的电阻上有电流通过，然 后测量其该管脚电流的测试。输出驱动电流测试就是在输出 管脚上施加一定电流，然后测量该管脚与地或电源之间的电 压差。 第二节通常的DC测试包括： 接触测试(短路-开路)：这项测试保证测试接口与器件 正常连接。接触测试通过测量输入输出管脚上保护二极管的 自然压降来确定连接性。二级管上如果施加一个适当的正向 偏置电流，二级管的压降将是0.7V左右，因此接触测试就可 以由以下步骤来完成：1?所有管脚设为0V, 2?待测管 脚上施加正向偏置电流” I”， 3?测量由” I”引起的电压, 4?如果该电压小于0.1V,说明管脚短路， 5.如果电压大于 1.0V,说明该管脚开路， 6.如果电压在0.1V和1.0V之间, 说明该管脚正常连接。 漏电(IILJIHJOZ)：理想条件下，可以认为输入及三态 输出管脚和地之间是开路的。但实际情况，它们之间为高电 阻状态。它们之间的最大的电流就称为漏电流，或分别称为 输入漏电流和输出三态漏电流。漏电流一般是由于器件内部 和输入管脚之间的绝缘氧化膜在生产过程中太薄引起的，形 成一种类似于短路的情形，导致电流通过。 三态输出漏电IOZ是当管脚状态为输出高阻状态时，在 输出管脚使用VCC (VDD)或GND (VSS)驱动时测量得到的 电流。三态输出漏电流的测试和输入漏电测试类似，不同的 是待测器件必须被设置为三态输出状态 转换电平(VIL, VIH)O转换电平测量用来决定器件工作 时VIL和VIH的实际值。(VIL是器件输入管脚从高变换到低 状态时所需的最大电压值，相反，VIH是输入管脚从低变换 到高的时候所需的最小电压值)。这些参数通常是通过反复运 行常用的功能测试，同时升高(VIL)或降低(VIH)输入电 压值来决定的。那个导致功能测试失效的临界电压值就是转 换电平。这一参数加上保险量就是VIL或VIH规格。保险量 代表了器件的抗噪声能力。 输出驱动电流(VOL, VOH, IOL, IOH)。输出驱动电流测 试保证器件能在一定的电流负载下保持预定的输出电平。 VOL和VOH规格用来保证器件在器件允许的噪声条件下所能 驱动的多个器件输入管脚的能力。 ? 电源消耗(ICC, IDD, IEE)O该项测试决定器件的电源 消耗规格，也就是电源管脚在规定的电压条件下的最大电流 消耗。电源消耗测试可分为静态、电源消耗测试和动态电源 消耗测试。静态电源消耗测试决定器件在空闲状态下时最大 的电源消耗，而动态电源消耗测试决定器件工作时的最大电 源消耗。 交流参数测试 交流参数测试测量器件晶体管转换状态时的时序关系。 交流测试的目的是保证器件在正确的时间发生状态转换。输 入端输入指定的输入边沿，特定时间后在输出端检测预期的 状态转换。常用的交流测试有传输延迟测试，建立和保持时 间测试，以及频率测试等。传输延迟测试是指在输入端产 生一个状态（边沿）转换和导致相应的输出端的状态（边沿） 转换之间的延迟时间。该时间从输入端的某一特定电压开始 到输出端的某一特定电压结束。一些更严格的时序测试还会 包括以下的这些项目：三态转换时间测试 TLZ, THZ:从输出使能关闭到输出三态完成的转换时间。 TZL, TZH:从输出使能开始到输出有效数据的转换时间。 基于DSP的测试技术 利用基于数字信号处理（DSP）的测试技术来测试混合信 号芯片与传统的测试技术相比有许多优势。 这些优势包括：由于能并行地进行参数测试，所以能减 少测试时间