MSM结构InGaZnO紫外探测器的制备及性能研究.docxVIP

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MSM 结构 InGaZnO 紫外探测器的制备及性能研究 摘 要】利用等离子体辅助的脉冲激光沉积技术在 面蓝宝石衬底上,在室温条件下制备了非晶 InGaZnO 薄膜, 在其基础上制备了金属 -半导体 -金属结构紫外探测器,并测 量了探测器的光谱响应和时间响应特性。 关键词】非晶 InGaZnO ;金属 -半导体 -金属结构;紫 外探测器 、引言 紫外光电探测器由于其在军事和民用等方面有着广泛 的应用,如导弹制导、紫外通讯、太空研究、环境与生物学 研究、明火探测等 [1] ,近年来,受到了科研工作者的广泛关 注。 InGaZnO 凭借其在可见光区高度透明、可室温生长、高 迁移率等特点, 已经得到了广泛的应用。 然而,关于 InGaZnO 应用到紫外光电探测器中的研究报道却很少[2] 应用到紫外光电探测器中的研究报道却很少 [2]。 本文采用等离子辅助的脉冲激光沉积技术制备了非晶 InGaZnO 基 MSM 结构紫外光电探测器。 、实验 PLD 使用的激光器为 Nd: YAG 脉冲激光器 (Quantel-Brilliant B )激光波长为 355 nm,激光脉冲宽度为 5 ns,脉冲频率为10 Hz,单脉冲能量为170 mJ。靶材采用 InGaZnO 陶瓷靶(纯度 99.99% , In: Ga: Zn = 1 :1: 1)。为了使衬底表面清洁,将衬底依次放入丙酮、乙醇和去 离子水中超声浴 15 min 。靶材与衬底的间距设定为 70 mm。 背底真空为6.0X 10-5 Pa,通入高纯氧气(纯度 99.99%), 并用高压离化装置(电压: 0.45 kV )将通入的氧气离化。氧 气流量为20 seem,氧分压稳定在5.0 Pa,薄膜在室温条件下 生长2 h。利用热蒸发技术在 a-lnGaZnO表面蒸镀了厚度为 60 nm 的 Au 薄膜。 InGaZnO薄膜的晶体结构由 X射线衍射仪(XRD , D/max 2600/pc)进行测量分析。表面形貌采用扫描电子显微镜 SEM,Hitaehi SU70 )进行表征。光学吸收性质通过紫外 可见分光光度计进行测量。电学特性由霍尔测量系统进行测 量。探测器的光谱响应特性由光谱响应测量系统( Zolix DR800-CUST )测量获得。 时间响应测量采用 Nd: YAG 脉 冲激光器(266 nm,10 ns)作为激发源。 三、结果与讨论 为了研究 a-GIZO 基 MSM 结构紫外光电探测器的光谱 响应特性,对探测器进行了无偏压及外加偏压条件下的光谱 果,结果表明探测器在 0 V 时有明显的响应,探测器在 0 V 响应测试,图 2 响应测试,图 2( a) 中黑色实线为探测器在 0 V 下的测试结 时的响应度为4 mA/W,响应峰值位于 310 nm。探测器下0 V 时的响应被归因于非对称电极的形成。测试结果表明探测器 的响应度随着偏压的增大而增强,且响应峰值均位于310 的响应度随着偏压的增大而增强,且响应峰值均位于 310 nm,图2 (b)所示为在探测器在 0 V及外加偏压下的响应 峰值变化曲线,由图可知,探测器的响应度随外加偏压增大 呈线性增长趋势, 且响应度从 0 V 时的 4 mA/W 上升至 10 V 时的 1.17 A/W 。 图 3为 a-lnGaZnO 基 MSM 结构紫外光电探测器在 5V 偏压下测量的时间响应图谱, 由上升延的10?90%可推断出 探测器的响应时间为14.7卩S。由图可知,时间响应的衰减边 可以被二阶e指数衰减公式很好的拟合,并得到两个时间常 数,分别为 0.13ms和2.25ms。 四、结论 利用等离子体辅助的 PLD 技术制备了 MSM 结构紫外光 电探测器,对探测器进行了在外加偏压下的光谱响应测试, 结果发现探测器的响应度随外加偏压的增大呈线性增长趋 势,且响应峰值均位于 310 nm,探测器在10V时的响应度 为 1.17A/W 。对探测器进行了时间响应测量,得到其在 +5V 偏压下的响应时间为 14.7卩So通过对a-lnGaZnO基MSM 结 构紫外光电探测器的制备与表征, 表明 a-lnGaZnO 可以成为 制备高效率紫外光电探测器的候选材料。 参考文献】 [1] Zheng J, Qiao Q, Zhang Z Z, et al. Cubic MgZnO Deep-ultraviolet Photodetector with High Responsivity [J]. Chin. J. Lumin.发光学报) , 2014, 35( 11): 1291-1296 (in J. Lumin. chinese). [2] Yao J K , Xu N S , Deng S Z , et al. Electrical an

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