光电导探测器.pptxVIP

某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化的器件，称为光电导器件。最典型的光电导器件是光敏电阻。 ; 3.2.1 光敏电阻的工作原理和结构 3.2.2 光敏电阻的特性参数 3.2.3 光敏电阻的变换电路 3.2.4 常用光敏电阻 3.2.5 小结 3.2.4 应用实例 ; 3.2.1 光敏电阻的工作原理和结构 ; 图示为光敏电阻的原理与器件符号图。在均匀的具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极便构成光敏电阻。;;光电导增益参见书上推导过程p173－p175;M1的理解; 如何提高M;光敏电阻 分类;光电导器件材料; 光敏电阻的结构:在一块光电导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其它绝缘材料基板上，两端接电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。 ;（a）梳状结构：梳形电极间距很小，之间为光敏电阻材料，灵敏度高。 （b）蛇形结构：光敏面为蛇形，两侧为金属导电材料，并在其上设置电极。 （c）刻线式结构：在制备好的光敏电阻衬基上刻出狭窄的光敏材料条，再蒸涂金属电极。 ;光敏电阻实物图 ; 3.2.2 光敏电阻的主要特性参数 ; 光敏电阻为多数电子导电的光电敏感器件，它与其他光电器件的特性的差别表现在它的基本特性参数上。光敏电阻的基本特性参数包含光电导特性、时间响应、光谱响应、伏安特性与噪声特性等。 ;一、光谱响应率;??多用相对灵敏度曲线表示。;在红外区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线;三. 噪声特性 ;;2. 噪声对偏流的影响 ;四.伏安特性 ;五、光电（照）特性和?值;2. 强光照射时， 光电流与光通量（照度）成非线性。;;电阻～照度关系曲线;六、前历效应;硫化镉光敏电阻的暗态前历效应曲线 1-黑暗放置3分钟后? 2-黑暗放置60分钟后3-黑暗放置24小时后 ;亮态前历效应 指光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工作时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象，其效应曲线如下图所示。一般，亮电阻由高照???状态变为低照度状态达到稳定值时所需的时间要比由低照度状态变为高照度状态时短。 ;七、温度特性; 右图所示为典型CdS（实线）与CdSe（虚线）光敏电阻在不同照度下的温度特性曲线。可以看出这两种光敏电阻的相对光电导率随温度的升高而下降，亮电阻变大。; 温度对光谱响应也有影响。随着温度的升高，其暗电阻和灵敏度下降，光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。硫化镉的光电流I和温度T的关系如图所示。有时为了提高灵敏度，或为了能够接收较长波段的辐射，将元件降温使用。例如，可利用制冷器使光敏电阻的温度降低。; 一般n型半导体的EF位于Ei之上Ec之下的禁带中。 EF既与温度有关，也与杂质浓度ND有关： 一定温度下掺杂浓度越高，费米能级EF距导带底Ec越近； 如果掺杂一定，温度越高EF距Ec越远，也就是越趋向Ei。;八. 响应时间和频率响应;;;频率响应特性 ;增益带宽积意义：当一个器件制作完后，外加电压确定后，增益带宽积为常量。也就是说，光电导器件的频带宽度和光电增益是矛盾的，二者不可兼容，灵敏度高的光电导器件，频带必然窄。;3.2.3 光敏电阻的变换电路;;2. 解析法;设入射于光敏电阻的辐射为调制辐射正弦，;;检测微弱信号时需考虑器件的固有噪声：;三、输出信号特性分析;;(2) VS和VB的关系 (由功耗线确定VB );例：PbS最大功耗为0.2W/cm2，使用时要低于比值0.1W/cm2 ;; 在满足功耗的前提下，根据系统要求综合考虑信号幅度和信噪比。 ;;例：高阻PC探测器的恒流偏置电路;例：锑化铟（InSb）PC探测器（77K）的恒流偏置电路 ;;例：硫化铅（PbS）PC探测器的恒压偏置 ; 特点：与上两种偏置比较，当Rd变化时探测器上的功率变化最小(恒功率的来源)。 输出信号电压的变化也最大（如前分析）。 ;例：锑化铟（InSb）光电导探测器（77K）的匹配偏置电路 ;4. 三种偏置方式比较;（2）从放大器输出的S/N比较;5．小结 （1）PC探测器一定要加偏置电路。 （2）设计偏置电路时（确定VB和RL ），首先要根据所用探测器的信号噪声及S/N输出对偏置电流IL的关系曲线选定IL值。通常在S/N最大值范围内选取。 （3）选定IL值，再根据系统情况选择偏置方式来确定RL值。 一般按 S/N大为准则，优先选用恒流偏置，即RL Rd（一般为RL≥10Rs），无必要或不便采用恒流