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第九章 PHOTO 工序 PHOTO 工序的目的 HOTO 的基本概念 什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。但是从工艺 来说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。当然，这两个概念是有实质联系的，因 为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。 HOTO 工序的目的 PHOTO 工序的目的是把 膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。主要过程依次 如下面图（一），图（二）和图（三）所示。 图（一） 图（二） 图（三） PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布 （PR coating）;曝光（Exposure）; 和显影（ Develop） . 光阻涂布（如图一），就是在 plate （玻璃基板）上涂布光阻。 光阻是一种对特定波长的 UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在黄 光下进行。因为 黄光波长大，光子能量低， 强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明 效果不错的光。 光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。 曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是 ARRAY的关键。之前说了 PHOTO是把膜层 电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。临时电路结构就设计在 MASK （光罩）上，光罩 上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。这样就使上一步骤涂布的光阻经过 曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。 曝光（Exposure）制程的主要参数是 CD （线宽）,Total pitch, Overlay。 Develop即显影。经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性， 对 正性光阻而言， 被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分 不溶于显影液。因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光 阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般 TFT 段都使用正光阻）。 显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽 显影后送去蚀刻，这样有光阻保护部分（即需要的电路部分）的膜不会被蚀刻掉，而没 有光阻保护部分的膜就被蚀刻掉。这样即形成所需要的电路的。 当然， PHOTO 除了上面所述的光阻涂布，曝光和显影之外，还有其它几方面工序组 成，如基板进入Photo制程后首先需要清洗（Cleaner）,如分布在各个环节的烘烤（Bake）. 下面简述一下PHOTO工序中的清洗和各个烘烤。在第一层需要刻号（Titler）等。 Cleaner即清洗工艺，目的为了在 Coater之前基板表面达到洁净，主要通过 E-UV照射分 解玻璃基板上的有机物（如下图四所示），然后通过 AA-jet, brush 等清洁方式将基板表面的 各种particle去除,最后用Air knife （图五）将基板表面水分去除。 图四 图五 在清洗之后设置Dehydration bake主要目的是通过高温将基板表面水分去除。 在光阻涂布之后会设置低压干燥（Low pressure dry也有称为Vacuum Dry）.目的是为了去 除光阻的溶剂（大约 70%），使基板上的光阻迅速固定，同时若此时用高温的方式来蒸发溶 剂的话，极易引起火山状 Mura. 在低压干燥之后，设置Pre-bake进一步去除光阻的溶剂（剩余 30%）。 同样，在显影之后也要设置 Bake单元，即所谓的Post Bake.目的是去除水分，加强光阻 和基板之间的作用力。 需要特别强调的一点是，所有的烘烤单元后都跟有对应的冷却单元，在进入下一个制程 前将基板冷却到正常的制程温度（ 23度左右）。 为对产品进行跟踪，需要在第一道制程时对基板进行刻 ID,即Titler.在某些层，还需要进 行边缘曝光（Edge Exposure）, 目的是为了去除基板边缘的光阻，减少对后面制程的影响。 通过上述介绍，我们可以比较清晰的对 PHOTO工序各站点按工艺实际依次罗列如下： 基板 loader进入一E UV — Pre-wet— Brush—AA-jet — Final rinse— Air knife —Dehydration Bake—Cooling—Coater—VCD（ or LPD） —Pre-bake—Cooling —Exposure— Titler/EE — Developer— Post-bake— cooling—基板 Unioader 出机台。 9.1.3小结 PHOTO 工序主要就是通过光阻涂布，曝光和显影将设计好的电路图型写到玻璃基板 上。PHOTO工序介于Thin Film （镀膜）与Etch （蚀刻）之间，是TFT的关键。 以上只是简单介绍 PHOTO 工序，详细内容请见之后章节。 Photo 技术的发展 (光