半导体制造工艺第2版.pptx

物理气相淀积;蒸发：通过加热被蒸镀物体，利用被蒸镀物体在高温时（接近其熔点）的饱和蒸汽压，进行薄膜淀积，又称热丝蒸发； 溅射：利用等离子体中的离子，对被溅镀物体（粒子靶）进行轰击，使气相等离子体内具有被溅镀物体的粒子，这些粒子淀积到硅晶片上形成溅射薄膜； ;溅射系统示意图; 热丝蒸发;源材料 蒸发的目的是为了形成良好的欧姆接触、管芯内部互联以及引出电极引线。为了达到这个目的，所选用的源材料必须满足以下几个条件： 有良好的导电性能； 容易与硅形成良好的欧姆接触； 便于键合和引出金属线； 适合用蒸发工艺；;与二氧化硅粘附性好； 没有毒害； 便于光刻； 价格便宜；;在半导体器件和集成电路制造中，选用铝材料作为蒸发源； 原因：铝和P型和N型硅都能形成低电阻的欧姆接触，而且对二氧化硅附着力强，易于蒸发和光刻，导电能力强，价格便宜； 除此之外，也用金、镍铬、铅等；;真空设备 机械泵 又称真空旋转泵，用来获得低真空的一种抽气设备； 能从一个大气压开始抽气，真空度可达10-3Torr；;机械泵结构示意图;油泵扩散;蒸发设备;蒸发系统示意图;加热材料应满足： 要与蒸发材料的熔液有良好的浸润性，即被蒸发材料熔化后能很好的粘在上面而不掉下来； 熔点必须高于蒸发金属的熔点，以免在蒸发时，加热器本身熔化； 可加工成各种形状，并能重复使用，与蒸发金属间的互熔度必须很小，以免造成蒸发膜玷污或合金化； 大多采用钨丝作为加热材料； ;加热器形状： 加热器材料的几何形状直接影响蒸发速率和膜的质量； 它们的几何形状和尺寸需要根据蒸发材料的性质、状态、蒸发量及衬底面积而定； 通常有以下几种形状：; 牛牛文库文档分享;为增大加热丝和源材料的粘合面积，使蒸发源分布均匀，提高蒸发速率及增加加热丝的使用次数，实际中加热丝的做法是： 在粗的钨丝上绕上ф0.5mm的细钨丝，或者采用几股细钨丝绞合成多股丝，然后加工成所需形状；;蒸发操作过程： 蒸发前准备工作 蒸发源加热器处理 一般钨丝表面会有脏物，一定要很好地清洗； 清洗可用10~20% NaOH或 KOH溶液煮几次，或用10~20% NaOH溶液电解。然后用冷、热去离子水冲洗至中性，烘干备用； 初次使用的钨丝应空蒸一次，空蒸相当于高温热处理，以去除钨丝中的一些杂质；;铝丝的处理 用甲苯或丙酮去油； 用浓度为85%，温度为60~70℃的磷酸溶液腐蚀1min，以去除表面的氧化层腐蚀后用冷、热去离子水冲洗干净； 然后用无水乙醇脱水，并放在盛有无水乙醇的容器中备用；;石墨加热衬底的处理 石墨衬底的清洁用王水（浓盐酸和浓硝酸按3：1比例配比）煮沸二次； 每次煮10min，然后用去离子水煮沸，一直到中性，烘干； 在真空中加温，时间为1~2h，以去除石墨中的杂质；;蒸铝过程 打开机械泵放气阀门。打开电源开关和机械泵开关及真空室放气阀门，开启钟罩； 将处理好的铝丝挂好，放好硅片，降下钟罩，关闭真空室放气阀门； 抽气到5×10-2Torr，打开低真空阀门； 打开烘烤电源开关，逐步升温，使温度达到1300℃。 关闭烘烤电源开关，待衬底温度降低到100℃时开始蒸发；;打开蒸发开关，将钨丝通电加热，并逐步加大电压。铝丝随温度升高逐步熔化，并开始挥发； 当熔融的铝层表面的杂质挥发以后，迅速打开挡板，使纯净的铝淀积到硅片上数秒钟后关闭挡板，开始蒸发； 待铝膜淀积到一定厚度时，关闭蒸发开关； 待衬底温度降低到150℃左右，关闭高真空、预真空阀门及扩散泵加热开关；;待温度降到70℃以下时，打开真空室放气阀门，通入氮气或空气，开启钟罩，取出硅片； ;蒸发中出现的质量问题： 铝层厚度控制不合适 铝层厚度是蒸铝工艺中一个主要参数。一般铝层为1~2μm； 如果铝太薄，在键合工序中容易开焊，造成半导体器件或集成电路断路，严重影响成品率； 如果铝层太厚，电极图形看不清，增加了光刻难度。腐蚀时间一长，容易造成脱胶，钻蚀现象；;铝层厚度大小是由蒸发源到硅片距离、蒸发时间、硅片加热温度以及真空度等因素决定的； 实际中，源距大于7cm，硅片加热温度为180~220℃。;电子束蒸发;电子束蒸发优点 膜纯度高，钠离子玷污少 钨丝蒸发钠离子玷污严重的原因与钨丝的制造有关（制造时用NaOH清洗，不可避免的带进大量的Na+。蒸发源加热时，温度较高不可避免的造成钨-铝金属和杂质的相互扩散，使钨丝中的Na+进入蒸发源中，并伴随铝一起蒸发到硅片表面。同时Na+在氧化层中有很大的溶解度，在480℃合金时， Na+会渗入到氧化层中，造成Na+玷污）；;光刻腐蚀方便 钨丝蒸发利用钨丝作为铝源承载体，在蒸发过程中，由于高温下钨-铝直接接触而变成合金，因此在蒸发的铝膜中含有钨或其他金属杂质，这给光刻带来一定困难； 电子束蒸发时，铝是放在用水冷却的紫铜坩埚中内，坩埚有较高的热传递性和充分的接触面积，当铝源