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失效分析技术与设备 技术 探测源 探测物理量 用途 光学显微镜 可见光 反射光 表面形貌，尺寸测量，缺陷观察 扫描电子显微分析（SEM） 电子 二次电子，背散射电子 表面形貌，晶体缺陷，电位分布， 电压衬度像，电压频闪图， X射线能谱分析（EDS） 电子 特征X射线 元素分析及元素分布 俄歇电子能谱（AES） 电子 俄歇电子 表面元素确定和元素深度分布 聚焦离子束（FIB） 离子 二次离子 截面加工和观察 透射电子显微技术（TEM） 电子 电子 截面形貌观察，晶格结构分析 制样技术 机械加工工具 研磨、抛光 化学腐蚀 有机溶解 反应离子刻蚀 聚焦离子束（FIB） 失效分析技术与设备 FIB 失效分析技术与设备 形貌观察技术 目检 光学显微镜（立体显微镜、金相显微镜） SEM—扫描电子显微镜 TEM—投射电子显微镜 AFM—原子力显微镜 X-RAY透视 SAM—扫描声学显微镜 失效分析技术与设备 结构 主架 载物台 照明系统 目镜系统 物镜系统 拍照系统 光学显微镜 失效分析技术与设备 SEM-EDS 失效分析技术与设备 Topography of Carbon Particle Sample (BFI) TEM 失效分析技术与设备 AFM 失效分析技术与设备 X-Ray透视系统 结构 X射线源 屏蔽箱 样品台 X射线接收成像系统 失效分析技术与设备 SAM 结构 换能器及支架 脉冲收发器 示波器 样品台（水槽） 计算机控制系统 显示器 失效分析技术与设备 成分分析技术 EDS—X射线能量色散谱 AES—俄歇电子能谱 SIMS—二次离子质谱 XPS—X光电子能谱 FTIR—红外光谱 GCMS—气质联用 IC—离子色谱 内腔体气氛检测分析 失效分析技术与设备 AES 失效分析技术与设备 TOF-SIMS 失效分析技术与设备 XPS 用途：主要用于固体样品表面的组成、化学状态分析。能进行定性、半定量及价态分析。 XPS 失效分析技术与设备 Condensed smear from compressed air FTIR 内部无损分析技术 X-Ray透视观察 SAM—扫描声学显微镜 PIND—内部粒子噪声分析 气密性分析 失效分析技术与设备 第 * 页 电子产品失效分析技术 电子产品失效分析技术电子产品失效分析技术内容失效分析概论 主要失效模式及机理 失效分析基本程序 失效分析技术与设备 失效案例分析 你要相信，你会被世界温柔相待，幸福只是迟到了，它不会永远缺席。人生就是一个充满遗憾的过程。有些事，挺一挺，就过去了；有些人，就是去狠一狠，也就忘记了；有些苦，笑一笑，就冰释了；有颗心，伤一伤，那么也就是坚强了！ 内容 失效分析概论 主要失效模式及机理 失效分析基本程序 失效分析技术与设备 失效案例分析 失效分析概论 失效分析概论 1. 基本概念 失效——产品丧失功能或降低到不能满足规定的要求。 失效模式——电子产品失效现象的表现形式。如开路、短路、参数漂移、不稳定等。 失效机理——导致失效的物理化学变化过程，和对这一过程的解释。 应力——驱动产品完成功能所需的动力和产品经历的环境条件，是产品退化的诱因。 失效分析概论 2. 失效分析的定义和作用 失效分析是对已失效器件进行的一种事后检查。使用电测试以及先进的物理、金相和化学的分析技术，验证所报告的失效，确定试销模式，找出失效机理。 根据失效分析得出的相关结论，确定失效的原因或相关关系，从而在产生工艺、器件设计、试验或应用方面采取纠正措施，以消除失效模式或机理产生的原因，或防止其再次出现。 主要失效模式及机理 失效模式 失效模式就是失效的外在表现形式。 按持续性分类：致命性失效，间歇失效，缓慢退化 按失效时间分：早期失效，随机失效，磨损失效 按电测结果分：开路，短路或漏电，参数漂移，功能失效 按失效原因分：电应力（EOS）和静电放电（ESD）导致的失效，制造工艺不良导致的失效 失效模式及分布 集成电路 分立元件 电阻器 电容器 失效模式及分布 继电器 按插元件 失效模式及分布 失效机理 过应力失效 电过应力——电源输出输入的电源、电压超过规定的最大额定值。 热过应力——环境温度、壳温、结温超过规定的最大额定值。 机械过应力——振动、冲击、离心力或其他力学量超过规定的最大额定值。 失效机理 CMOS电路闩锁失效 条件——在使用上（VI；VO）VDD或（VI；VO）VSS；或电源端到地发生二次击穿。 危害——一旦导通电源端产生很大电流，破坏性和非破坏性。 失效特点——点现象，内部失效判别。 测试标准——EIA/JESD78 IC Latch-Up Test。 ESD失效机理 静电放电给电子元器件带来损伤，引起的产品失效。 失效机理 过电压场致失效——放电回路阻抗较高，元器件因接受高电