《材料科学基础》材料塑性变形剖析.ppt

材料的塑性变形;《材料科学基础》材料塑性变形剖析;弹性变形－塑性变形－断裂;第一节 单晶体的塑性变形;位错移动引起永久变形的示意图;光镜下：滑移带。 电镜下：滑移线。;3. 滑移的晶体学;（2）滑移系 滑移系：一个滑移面和该面上一个滑移方向的组合。 滑移系的个数：（滑移面个数）×（每个面上所具有的滑移方向的个数）;《材料科学基础》材料塑性变形剖析;《材料科学基础》材料塑性变形剖析;《材料科学基础》材料塑性变形剖析;《材料科学基础》材料塑性变形剖析; ;（1）一般滑移系越多，塑性越好； （2）与滑移面密排程度和滑移方向个数有关； （3）与同时开动滑移系数目有关（?c）。;（3）滑移的临界分切应力（?c）;?c取决于金属的本性，不受?，?的影响； ?s的取值： ?或?＝90?时，?s →?；?，?＝45?时，?s最小，晶体易滑移； cos?cos?（取向因子）： 软取向，值大；硬取向，值小。;4. 滑移时晶体的转动;拉伸时，滑移面和滑移方向趋于平行于力轴方向。;压缩时，滑移面逐渐趋于垂直于压力轴线。;几何硬化：?，?远离45?，滑移变得困难； 几何软化：?，?接近45?，滑移变得容易。; 5.多滑移; 6. 交滑移;《材料科学基础》材料塑性变形剖析; 只有纯螺位错才可交滑移，分解成扩展位错后部分位错离开层错所在的面会引起严重错排。 所以扩展位错交滑移前一定要以一定方式变回全位错才能交滑移。; 层错能越低，位错宽度就越大，交滑移束集是做功也越大。 对低层错能材料，位错很难交滑移，位错运动是平面型的，称平面滑动。 对高层错能材料，位错容易交滑移，滑移线呈波纹状，称波纹滑动。; 交滑移容易与否，对材料的应变硬化有很大的影响。 层错能越低，位错不易通过交滑移越过遇到的障碍，从而加大了应变硬化。; 7.滑移的表面痕迹;二、孪晶变形; 变形与未变形的两部分晶合称为孪晶，均匀切变区与未切变区的分界面成为孪晶界。;孪晶面： A1{111}，A2{112}，A3{1012} 孪晶方向：A1<112>，A2<111>，A3<1011>;孪生的特点:; 孪生往往在滑移困难时出现，六方晶系的滑???系很少，所以容易出现孪晶。;孪晶变形和滑移的相同点;孪晶变形和滑移的不同点;《材料科学基础》材料塑性变形剖析;第二节 多晶体的塑性变形;多晶体中晶粒取向;? ; 晶界对晶粒变形具有阻碍作用。拉伸试样变形后在晶界处呈竹节状，每个晶粒中的滑移带均终止于晶界附近，晶界附近位错塞积。;⊥; 位错塞积使头部产生应力集中，当应力集中能使相邻晶粒的位错源启动时，原来取向不利的晶粒也能开始变形，相邻晶粒变形也使位错塞积产生的应力集中得以松弛。;位错在晶界塞积 → 应力集中 → 相邻晶粒位错源开动 → 相邻晶粒变形 → 塑性变形; 任何变形都可用εxx，εyy，εzz，γxy，γyz，γxz这6个应变分量来表示，在塑性变形体积不变的情况下，有：;二、晶粒大小与力学性能的关系; 因相邻晶粒取向不同，为保持形变时应变连续，各晶粒形变要协调，在晶界附近会进行多系滑移。 正是这些多系滑移增加了形变阻力，从而增加强度。;1. 晶粒越细，强度越高（细晶强化）; 因为金属晶粒越细，晶界总面积越大，位错障碍越多；需要协调的具有不同位向的晶粒越多，使金属塑性变形的抗力越高。;2. 晶粒越细，塑韧性提高; 粗晶粒的n较大，产生的应力集中大，如相邻晶粒取向不利，或位错源不易开动，则应力集中不能松弛，在邻近晶粒某一特定方向产生很大的拉应力，形成裂纹。 因而晶粒越粗，塑性也越低，反之，晶粒越细，塑性越高。; 同理，细晶粒材料中，应力集中小，裂纹不易萌生；晶界多，裂纹不易传播，在断裂过程中可吸收较多能量，表现高韧性。;第三节 金属的强化理论;1. 位错的交割;柏氏矢量平行的两个刃型位错的交割;柏氏矢量垂直的两个刃型位错的交割;刃型位错与螺型位错的交割;两个螺型位错的交割;两位错交割的定性结论;2. 位错的反应;当它们的领头位错相遇后发生如下位错反应：;3. 位错的增殖; 位错两端被钉扎，在切应力作用下发生弯曲； 位错运动时发生卷曲； 异号位错相遇—一位错环+一位错线； 上述过程重复进行。;《材料科学基础》材料塑性变形剖析;（2）双交滑移源;二、固溶强化;3. 固溶强化的影响因素;《材料科学基础》材料塑性变形剖析;1. 结构：基体＋第二相。; 当在晶内呈颗粒状弥散分布时，第二相颗粒越细，分布越均匀，合金的强度