掺杂氧化锌薄膜的制备与光学特性的分析.docxVIP

中南大学硕士学位论文 中南大学硕士学位论文 摘要 摘要 近年来，ZnO基稀磁半导体已成为当今材料研究领域中的热点， ZnMnO材料就是其中较为典型的一种。本文采用理论分析与物理实 验相结合的研究方法，利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上生长出 ZnMnO薄膜。研究了ZnMnO的结构和光学性质，探讨了制备工艺 及ZnMnO薄膜结构和光学性能的影响。 对比研究了ZnMnO薄膜和ZnO薄膜的微观结构和表面形貌。X 射线衍射谱显示薄膜只有一个衍射峰，表明ZnMnO薄膜具有很高的 择优取向，具有与ZnO薄膜类似的六角纤锌矿结构，由于Mn2+代替 Zn2+造成ZnMnO薄膜的衍射峰的2口角较ZnO的2秒角蓝移；X射线 光电子谱显示Mn2+已部分取代ZnO晶格中的Zn2+，但掺杂有少量的 Mn02分子；原子力显微镜显示Mn的掺杂可改善ZnO薄膜的表面形 貌。 对比分析了ZnMnO薄膜和ZnO薄膜的光学性质。透射谱说明 ZnO与ZnMnO在紫外区都具有一个陡峭的吸收边；因锰的掺杂造成 ZnMnO薄膜的带隙变大，ZnMnO光学带隙约为3．219 eV；提出了一 种由透射谱快速估算薄膜的禁带宽度的新方法；室温光致发光谱中观 察到3个发光峰：391．8 nrn的紫光峰，463．6 nrn的蓝光峰和498．9 nnl 的绿光峰，紫光发射来自锰(锌)氧化物复合体，蓝光发射来自薄膜的 内部点缺陷，绿光发射来自锌空位形成的受主能级到导带底之间的电 子跃迁。 讨论了薄膜的衬底温度、溅射功率及工作气压对ZnMnO薄膜的 表面形貌、透过率、带隙及光致发光的影响，给出了本实验比较适宜 的制备条件，衬底温度为200℃，溅射功率为100 W，工作气压为5 Pa。 重点研究了氧分压对ZnMnO薄膜结构及光学性能的影响，研究 表明，氧分压为0．4时，薄膜具有最大的晶粒尺寸和禁带宽度，高度 的c轴择优取向。 关键词：稀磁半导体，ZnMnO薄膜，微观结构，表面形貌，光学性 质 中南大学硕士学位论文 中南大学硕士学位论文 Abstract Abstract In recent years，Diluted Magnetic Semiconductors-DMS based ZnO has become a hotspot in the research field of material．ZnMnO is one of them．In this paper,the ZnMnO thin films have been prepared by direct current magnetron sputtering on glasses studied by combining theory and experiment studies．The structural and optical properties of ZnMnO thin films have been systemically investigated．The influences of preparation technology on the characteristic of ZnMnO thin films have also been studied． The structure and surface morphologies of ZnMnO and ZnO thin films are analyzed．XRD pattem indicates that the(002)peak position of ZnMnO film shift to lower angle comparable with that of bulk ZnO owing to Mnz十replacing Zn2十．A ZnMnO film is single crystals with the hexagonal crystal structure and has a strongly preferred orientation of c axis．X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)results reveal the divalent Mn2+ions have doped into ZnO lattice，including some small amount of Mn02．Atomic Force Microscope shows that doping with Mn ion Can improve