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1 太阳能电池基础;1.1 半导体基础 ;1.1 半导体基础 ;半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如:
热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。
光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可做
成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极
管、光敏三极管等)。
掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电
能力明显改变(可做成各种不同用途的半导
体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。
此外,半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变;1.1 半导体基础 ;1.1 半导体基础 ;3 本征半导体;4、杂质半导体;N 型半导体中的载流子:;P 型半导体;杂质半导体的示意表示法;施主:掺入到半导体中的杂质原子,能够向半导体中提供导电的电子,并成为带正电的离子。如Si中掺入五价的P 和As.
As:V族,其中的四个价电子与Si形成共价键,但多出一个电子只需要很低的能量便能该电子电离进入导带,形成导电电子和带正电的电离施主。
受主:掺入到半导体中的杂质原子,能够向半导体中提供导电的空穴,并成为带负电的离子。如Si中掺入三价的B.
B:III族,只有三个价电子,与Si形成共价键,并出现一个空位,只需要很低的能量便能使价带中的电子填补空位,并形成价带空穴和带负电的电离受主。;施主杂质与受主杂质比较;1.1 半导体基础 ;1、晶体的结构
1)晶体和晶格:由于构成晶体的粒子的不同性质,使得其空间的周期性排列也不相同;为了研究晶体的结构,将构成晶体的粒子抽象为一个点,这样得到的空间点阵成为晶格。
2)晶体结构与原子结合的形式有关
晶体结合的基本形式:共价结合、离子结合、金属结合、范德瓦耳斯结合
半导体的晶体结构:主要有
金刚石结构( Ge、Si)
闪锌矿结构(GaAs等III-V族和CdTe等II-VI族化合物) 纤锌矿结构(部分III-V族和II-VI族化合物)
;◆金刚石结构;◆闪锌矿结构;◆纤锌矿结构;晶格 在点阵中把所有格点连接起来所构成网络;晶列指数和晶面指数;晶体的晶面用晶面指数(密勒指数)表示:该晶面与坐标轴截距的倒数可以化为互质整数。;;晶体由大量原子组成,一个原子的电子不仅受到这个原子的作用。还将受到相邻原子的作用 。相邻原子上的电子轨道将发生一定程度的相互交迭,通过轨道的交迭,电子可以从一个原子转移到相邻的原子上去。这时电子已不属于个别原子而成为整个晶体所共有,这种电子运动称为“共有化”。
电子在原子之间的转移不是任意的,电子只能在能量相同的轨道之间发生转移。下图表示出这种共有化轨道的能级图。 ; 从图中可见,晶体中电子轨道的能级分成由低到高的许多组。分别和各原子能级相对应,每一组都包含着大量的能量很接近的能级。这样一组密集的能级看上去象一条带子,所以被称之为能带。能带之间的间隙叫做禁带。
未被电子填满的能带称为导带,已被电子填满的能带称为满带或价带。导体、半导体,绝缘体导电性质的差异可以用它们的能带图的不同来加以说明。;绝缘体;电子:带负电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子,对应于导带中占据的电子。
空穴:带正电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位,对应于价带中的电子空位。; (1)电子空穴对; 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合,如图所示。; (2) 空穴的移动
; 价带中空穴的运动;热运动:导带中的电子和价带中的空穴始终在进行着无规热运动,热平衡时热运动是随机的统计平均的结果净电流为0。
漂移运动:两种载流子(电子和空穴)在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。
扩散运动:由于载流子浓度的差异,而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散,产生扩散运动。
;;;; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;;2、 PN结的单向导电性; 3.2.3 PN结的单向导电性;PN 结变宽;;总结:
PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;导通
PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。截止
由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。
相当一个开关。;根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极
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