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掩模曝光剂量的精细控制工艺设计 光学邻近效应是指：光刻过程中因为相邻线条能量的叠加所造成的光刻图形的形状和尺寸相对于原始设计图形发生畸变的现象。邻近效应是掩模制造工艺中的典型负效应。极端情形下，当曝光模糊引起的线条变宽达到特征尺寸一半时，将造成相邻电路的短路故障。 在目前的半导体掩模制造工艺中，对亚微米光刻线宽, 为减少掩模图形的邻近畸变, 普遍采用在原始设计掩模图形上预留几何修正图形，或基于单个图形作为最小单位进行区域曝光的校正方法。然而, 按照掩模板对曝光能量的吸收特性, 对掩模实施更小区域曝光控制，可更精确纠正邻近效应。 本文强调通过细化掩模线条，实施线条内的区域曝光。区别于现有曝光控制法，该方法跳出了以线条为基本单位控制曝光的传统模式。文中阐述了在线条内进行的曝光区域划分原则和曝光剂量设置方法。 通过设计掩模测试图形, 完成了光学邻近效应精细校正的实验模拟，并与当前曝光剂量控制法进行了比照。 2原理 光学邻近效应的根本原因是由电子散射引起线条的额外曝光。在此过程中，作为整个光刻工艺媒介的光刻胶所吸收的来自相邻区域的曝光量的多少，直接关系到邻近效应的恶劣程度。 为了描述光刻胶对电子束能量的吸收特性，这里给出电子束曝光系统的电子束能量密度公式： 式中，r是束斑的半径，βf和βb是前散射和背散射的高斯分布特征宽度，n是背散射