第04章化合物半导体材料.ppt

第04章化合物半导体材料04章 化合物半导体材料 4. Si衬底上外延GaN 有助于实现光电集成 问题：晶格失配16.9%，热失配54% Si衬底上外延GaN开裂是主要难题。 MOCVD在Si衬底上外延GaN的主要问题：Si和Ga形成合金，腐蚀衬底和外延层。 解决方案：掺入AlN缓冲层，插入Al(Ga)N/GaN超晶格、原位沉积SixNy插入层。 目的：使位错湮灭、掩埋或弯曲在面内； 缓解GaN中的张应力。 参考文献： Krost A, Phys.Status Solidi A, 2002, 194(2): 361-375 5. GaN体材料生长 用GaN体材料做衬底进行外延生长和器件结构制备是最佳选择 最具有使用价值的方法：氢化物气相外延（HVPE） 2Ga+2HCl→2GaCl+H2 2GaCl+NH3 →GaN+HCl+H2 HVPE，低温缓冲层技术，在蓝宝石衬底上生长高质量、无应变的厚膜，然后将GaN从蓝宝石衬底上剥离下来。 关键技术问题：剥离，激光剥离、空洞辅助剥离 商业化：GaAs衬底上生长GaN，衬底用王水去除。 价格高，每片100万日元。 4.2 II-VI族化合物半导体材料 II-VI族化合物离子键成分更多，极性更强，具有更高的蒸气压，生长单晶更为困难。 II-VI族化合物均为直接跃迁带隙结构，带隙比周期表同一行的III-V族要大 关键因素：控制高低温区的温度、晶体生长速度和坩埚（或温度场）移动速度。 只有当高温区和低温区的温度差适宜，晶体生长速度与坩埚下降速度大体一致，在整个晶体生长过程中，固液界面相对位置变化不大，且界面一直保持微凹或平坦的形状时(生长出的晶体的均匀性和完整性才较好。 优点：温度梯度小，便于进行挥发性组元（As, P）的蒸汽压控制，晶体表面不离解，生长晶体位错密度较低。 生长系统：机械及运动系统、电器及控制系统、热场系统、安全及辅助系统 GaAs体单晶的研究现状 半导体材料的质量是研究半导体物理、实现半导体性能与应用的关键所在。 重要的问题：如何在低成本的条件下，提高材料的结构均匀性、降低单晶的位错密度和残余应力，提高电学性质均匀性。 （1）选择合适的坩埚形状提高单晶的成品率 （2）通过温度场的剪裁和控制，冷却程序的优化，有效控制固液界面的形状，减少单晶中的热应力 （3）多步晶片退火工艺，提高电学性质的均匀性，避免位错密度增加 参考文献： (1) Amon J, J. Cryst. Growth, 1998, 187(1): 1-8 (2) Oda. O, Semicond. Sci. Technol., 1992, 7(1A): A215-223 (3) Polyakov A Y, Solid-State Electronics, 2004, 48(1): 155-161 4.1.2 InP 1910年，蒂尔合成出InP，是最早制备出来的III-V族化合物； InP单晶体呈暗灰色，有金属光泽 室温下与空气中稳定，3600C下开始离解 熔点下离解压27atm 溶于无机酸 N型InP通过掺S和Se获得 P型InP通过掺Zn获得 半绝缘的InP通过掺Fe获得 生长方法：VGF, VB, LEC InP特性 高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超高速、超高频器件的良好材料； InP作为转移电子效应器件材料，某些性能优于GaAs InP的直接跃迁带隙为1.35 eV，正好对应于光纤通信中传输损耗最小的波段； InP的热导率比GaAs好，散热效能好 InP是重要的衬底材料 InP研究现状 InP衬底的结构和光电性质均匀性对于外延器件的性能有着非常重要的影响。 目前努力的方向：提高单晶的成品率、结构性质均匀性，降低生产成本 计算机模拟研究VGF生长工艺参数对InP单晶中位错产生的影响 用VGF生长工艺和LEC生长工艺生长2~6英寸的单晶，并对熔体的组分和生长工艺参数进行优化 市场需求以2英寸衬底为主，6英寸的未进行量化生产 参考文献： (1)Gulluoglu A N, Acta Materialia, 1999, 47(8): 2313-2322 (2) Aashi T, Jpn. J. Appl. Phys., 1999, 38(2B): 977-980 (3)Matsumoto F, J. Cryst. Growth, 1993, 132(1-2): 348-350 (4)Hosokawa Y, Sumitomo Electric Technical Review, 1993, 35: 69-73 4.1.3 GaN III族氮化物InN(0.7eV), GaN(3.4eV), AlN(6.2eV),多元合金化合