材料物理性能半导体材料试卷（材料物理性能）.docVIP

试卷第 PAGE 9 页共 NUMPAGES 14 页 材料物理性能半导体材料试卷（材料物理性能） 姓名:_____________ 年级:____________ 学号:______________ 题型 选择题 填空题 解答题 判断题 计算题 附加题 总分 得分 评卷人 得分 1、最通常的半导体材料是什么？该材料使用最普遍的原因是什么？ 2、砷化镓相对于硅的优点是什么？ 3、描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。 4、例举出硅片厂中使用的五种通用气体。 5、对净化间做一般性描述。 6、什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？ 7、例举硅片制造厂房中的7种玷污源。 8、解释空气质量净化级别。 9、描述净化间的舞厅式布局。 10、解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？ 11、按构成集成电路基础的晶体管分类可以将集成电路分为哪些类型？每种类型各有什么特征？ 12、什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。 13、什么是CMOS技术？什么是ASIC？ 14、例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？ 15、将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？ 16、什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？ 17、给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。 18、硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？ 19、解释投射电子能显微镜。 20、给出使用初级泵和真空泵的理由。 21、什么是IC可靠性？什么是老化测试？ 22、例举在线参数测试的4个主要子系统。 23、例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章） 24、什么是印刷电路板？ 25、例举出传统装配的4个步骤。 26、例举出两种最广泛使用的集成电路封装材料。 27、例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么？ 28、例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。 29、离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？ 30、离子注入后为什么要进行退火？ 31、光刻和刻蚀的目的是什么？ 32、为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？ 33、为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？ 34、描述金属复合层中用到的材料？ 35、STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？ 36、二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？ 37、说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？ 38、描述热氧化过程。 39、影响氧化速度的因素有哪些？ 40、例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？ 41、立式炉系统的五部分是什么？例举并简单描述？ 42、什么是薄膜？例举并描述可接受的薄膜的8个特性。 43、例举并描述薄膜生长的三个阶段。 44、互连 45、接触 46、通孔 47、填充薄膜 48、例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。 49、解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。 50、什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用作阻挡层金属？ 51、什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？ 52、例举双大马士革金属化过程的10个步骤。 53、解释什么是暗场掩模板。 54、例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。 55、在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 56、例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。 57、描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。 58、例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。 59、解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？ 60、光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？ 61、给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么？ 62、解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？ 63、解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 64、例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。 65、定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？ 66、哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。 67、叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。 68、什么是结深？ 69、例举并解释硅中固态杂质