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厦门大学学位论文著作权使用声明本人同意厦门大学根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办 厦门大学学位论文著作权使用声明 本人同意厦门大学根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办 法》等规定保留和使用此学位论文，并向主管部门或其指定机构送交 学位论文(包括纸质版和电子版)，允许学位论文进入厦门大学图书 馆及其数据库被查阅、借阅。本人同意厦门大学将学位论文加入全国 博士、硕士学位论文共建单位数据库进行检索，将学位论文的标题和 摘要汇编出版，采用影印、缩印或者其它方式合理复制学位论文。 本学位论文属于： ( )1．经厦门大学保密委员会审查核定的保密学位论文， 于 年 月 日解密，解密后适用上述授权。 l ( √)2．不保密，适用上述授权。 (请在以上相应括号内打“√”或填上相应内容。保密学位论文 应是已经厦门大学保密委员会审定过的学位论文，未经厦门大学保密 委员会审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不填写的，默认 为公开学位论文，均适用上述授权。) 声明人(签名)：钕嫩昧 Ⅵ以年岁月珥日 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 锗材料由于具有比硅材料高的电子和空穴迁移率，在通信波段有较高的吸收 系数并且与成熟的硅工艺相兼容等优点，使其成为下一代高性能微电子器件的首 选替代材料。然而Ge器件存在着漏电流大的致命缺点，同时Ge器件尺寸的缩 小会引入一些小尺寸效应。绝缘体上锗(Germanium．on