半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第二章习题与答案.pdfVIP

WORD格式可编辑 第二章习题 1.实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 答： （1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实 际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 （2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。 （3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和 面缺陷等。 2. 以 As 掺入 Ge 中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。 As 有 5 个价电子，其中的四个价电子与周围的四个 Ge 原子形成共价键，还剩余 一个电子，同时 As 原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个 As 原子取代一个 Ge 原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子 . 多余的电子束 缚在正电中心，但这种束缚很弱 , 很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导 电的自由电子，而 As 原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的 电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心，称为施主杂质或 N 型 杂质，掺有施主杂质的半导体叫 N 型半导体。 3. 以 Ga 掺入 Ge 中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和 p 型半导体。 Ga有 3 个价电子，它与周围的四个 Ge 原子形成共价键，还缺少一个电子，于是在 Ge 晶体的共价键中产生了一个空穴，而 Ga原子接受一个电子后所在处形成一个负离子 中心，所以，一个 Ga 原子取代一个 Ge 原子，其效果是形成一个负电中心和一个空穴， 空穴束缚在 Ga 原子附近，但这种束缚很弱，很小的能量就可使空穴摆脱束缚，成为 在晶格中自由运动的导电空穴，而 Ga原子形成一个不能移动的负电中心。这个过程 叫做受主杂质的电离过程，能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂 质，称为受主杂质，掺有受主型杂质的半导体叫 P 型半导体。 4. 以 Si 在 GaAs中的行为为例，说明 IV 族杂质在 III-V 族化合物中可能出现的双性 行为。 Si 取代 GaAs中的 Ga原子则起施主作用； Si 取代 GaAs中的 As 原子则起受主作 用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度 时趋于饱和。硅先取代 Ga原子起施主作用，随着硅浓度的增加，硅取代 As 原子 起受主作用。 专业知识 整理分享 WORD格式可编辑 5. 举 例 当半导体中同时存在施主和受主杂质时， 说 若（ 1）NDNA 明 因 有 ND-NA 个电子在施主能级上，杂质全部电离时，跃迁到导带中的导电电子的浓度 为 受 为 n=N-N 。即则有效受主浓度为 N ≈N -N 主 D A Aeff D A 能 （2） NAND 级 低 施 于 们可接受价带上的 NA-ND 个电子，在价带中形成的空穴浓度 p=NA-ND. 即有效受主浓度 主