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PVsyst晶硅组件PAN参数优化（弱光性能） 弱光和晶硅组件弱光性能的定义 辐照度低于1000W/m2的光照定义为弱光，晶硅组件在弱光条件的发电能力称为弱光性能； 图1 南京地区年太阳辐射情况 参考文献： EFFICIENCY vs. IRRADIANCE CHARACTERIZATION OF PV MODULES REQUIRES ANGLE-OF-INCIDENCE AND SPECTRAL CORRECTIONS 晶硅组件弱光性能的表现形式 Fig.3 弱光下多晶组件的Voc随太阳辐照的变化趋势（南京地区） PVsyst中的单二极管模型及相关参数 图4 Pvsyst软件所使用的单二极管模型 （1）式中IL为光生电流（A），I0为二极管反向饱和电流（A），n为二极管理想因子。相关研究成果表明（Mermoud 和 Lejeune ，2010；Eikelboom et al., 1997)：组件并联电阻值和入射光强有一定的关系，当入射光强降低后，并联电阻随光强成指数变化，公式（2）： Rsh= Rsh(Gref) + [ Rsh(0) - Rsh(Gref) ] ·exp(-Rsh(exp) · (G / Gref)) （2） （1） PVsyst中的单二极管模型及相关参数 Rs（apparent）：标准测试条件下组件实际的串联电阻值，可以从组件Date