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传感器原理与应用 课程讲稿 授课题目（教学章、节或主题） ：第二章 电阻式传感器 授课方式 理论课 讨论课 □ 实验课 □ 习题课 □ 其他 □ 课时 （请打 √） 6 安排 教学要求（分掌握、熟悉、了解三个层次） ： 了解电位器式传感器的类型；掌握应变式传感器的组成及工作原理，了解半导体应变原理；掌握应变片的粘贴方法；掌握直流电桥测量原理；了解交流电桥原理；了解应变传感器应用。 教学重点、难点及关键知识点： 重点：应变效应、应变式传感器的组成及工作原理；直流电桥测量电路分析过程；变间隙式电容传感器的工作原理。 难点：应变式传感器原理分析；非线性误差及其补偿方法； 方法及手段 板书与多媒体相结合 教学基本内容（教学过程） 改进设想 第二章 电阻式传感器 第一节 电位器式电阻传感器 一、 电位器式电阻传感器常用形式 1、 滑线式位移传感器 2、 角位移传感器 3、 分段电阻角位移传感器 传感器原理与应用 课程讲稿 1 / 9 4、 分段电阻直线位移传感器 二、 线绕式电位器结构和工作原理 R , L  若线绕式电位器的线绕截面积均匀， 则 其电阻值变化均匀（线形） 。若电位器 为空载时，根据分压原理得： U 0 U 0 Rx Rx x U i R 若电位器的负载电阻 RL 0 ，则输出电 压为： U i U 0 RL Rx U i RL Rx U i RxRL I Rx RL RL Rx RL R RxR Rx2 RL Rx R Rx RL Rx 第二节 应变式电阻传感器 一、工 作原理 1、应变效应 导体或半导体材料在外（拉力或压力）力的作用时，产生机械变形，导致 其电阻值相应发生变化， 这种因形变而使其阻值发生变化的现象称为 “应变效应”。 2、金属电阻丝应变原理 l l F F r r 一根金属电阻丝，在其未受力时，原始电阻值为 R  l A 传感器原理与应用 课程讲稿 2 / 9 如果对电阻丝长度作用均匀应力，则 ρ、 L、 A 的变化 d ρ、 d L 、 d A 将引起电 阻 d R 的变化，可以通过对上式做全微分求得： dR L d L dA dL A 2 A A 其相对变化量为： dR dl dA d R l A 若电阻丝是圆形的， 则 A r 2 ，r 为电阻丝的半径， 对 r 微分得： d A=2 π r d，r 则 dA 2 rdr 2 dr A r 2 r dl dr x 为金属电阻丝的轴向应变； y 为径向应变 l r y x dR d dR d 2 ) x 或 R (1 2 ) (1 R x x 通常把单位应变能引起的电阻值变化称为电阻丝的灵敏系数。 其物理意义是单 位应变所引起的电阻相对变化量，其表达式为 dR d R 1 2 K s x x 灵敏系数 K 受两个因素影响：一个是应变片受力后材料几何尺寸的变化，即 1+2 μ；另一个是应变片受力后材料的电阻率发生的变化，即（ dρ /）ρ/ εx。对金属 材料来说，电阻丝灵敏度系数表达式中 1+2μ 的值要比 (d ρ/ ρ)/大εx得多，而半导 体材料的 (d ρ/ ρ)/项εx的值比 1+2μ大得多。 大量实验证明， 在电阻丝拉伸极限内， 电阻的相对变化与应变成正比，即 K 为常数。 dR dR 得到 R R K s x Ks x 表示金属电阻丝的电阻相对变化与轴向应变成正比。 3、半导体应变原理 半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效 应。沿一块半导体的某一轴向施加压力使其变形时， 它的电阻率会发生显著变化，这种现象称为半导体的压阻效应。 利用压阻效应制成的传感器称为压阻传感器或半导体应变片。 传感器原理与应用 课程讲稿 3 / 9 当半导体应变片受轴向力作用时， 其电阻相对变化为 dR d R (1 2 ) x x 式中 dρ/ ρ为半导体应变片的电阻率相对变化量，其值与半导体敏感元件在轴向 所受的应变力有关，其关系为 d E x dR (1 2 E) x R 实验证明， πE比 1+2μ大上百倍，所以 1+2μ可以忽略，因而半导体应变片的灵敏系数为 dR K s R E x 根据应力与应变的关系，得到应力值 σ为 σ=E·ε 由此可知，应力值正比于应变，而应变又正比于电阻值的变化，所以应力正比于电阻值的变化。这就是利用应变片测量的基本原理。二、应变片的结构、材料和粘贴 1、应变片的结构 4 3 b l 1 2 栅长 栅宽 2、金属电阻应变片的材料 对电阻丝材料应有如下要求： ① 灵敏系数大， 且在相当大的应变范围内保持常数；②ρ值大，即在同样长度及横截面积的电阻丝中具有较大的电阻值； ③ 电阻温度系数小，否则因环境温度变化也会改变其阻值；