外延工艺培训课件.pptxVIP

3.7 外延工艺;材料;CVD法的步骤： 1. 参加反应的气体的混合物被输运到沉积区 2.反应物分子由主气流扩散到衬底的表面 3.反应物分子吸附在衬底表面上 4.吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成硅原子和化学反应副产物，硅原子沿衬底表面迁移并结合进入晶体点阵。 5.反应副产物分子从衬底表面解吸 6.副产物分子由衬底表面外扩散到主气流中，然后排出淀积区 ;;3.7.1 外延生长原理 1 气相外延 外延是指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术，新单晶的晶向取决于衬底，由衬底向外外延而成。 外延方法很多，硅半导体器件中通常采用硅的气相外延法。其过程是：四氯化硅（SiCl4)或硅烷（SiH4)，在加热的硅衬底表面与氢发生反应或自身发生热分解，还原成硅，并以单晶形式沉积在硅衬底表面。;2外延生长设备;外延系统应满足如下要求： (1)气密性好 (2)温度均匀且精确可控，能保证衬底均匀地升温与降温； (3)气流均匀分布 (4)反应剂与掺杂计的浓度及流量精确可控 (5)管道、阀门用不锈钢制造，并保证连接可靠。 (6)要使用多个流量计使反应剂与掺杂计的浓度及流量精确可控。 (7)石墨基座由高纯墨制成。加热采用射频感应加热方式。 ;工艺（SiCl4)： 1、处理硅片 2、基座的HCl腐蚀去硅程序 （1）N2预冲洗 （2）H2预冲洗 （3）升温（两步） （4）HCl排空、腐蚀 （5）H2冲洗 （6）N2冲洗 3、外延生长 （1）N2预冲洗 （2）H2预冲洗;（3）升温（两步） （4）HCl排空、抛光 （5）H2清洗 （6）外延生长 （7）H2清洗-降低自掺杂效应 （8）降温 （9）N2清洗 ;3.7.3 介质材料CVD 1、SiO2 用途：在大规模集成电路的制造技术中CVD法SiO2的使用和氧化法SiO2互为补充。 采用下列两种反应： 后者已TEOS为主的SiO2LPCVD，阶梯覆盖能力甚佳，应用较广。 ;2、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG) 磷硅玻璃（PSG）最大的用途是作为半导体元件的保护层。 前者用常压CVD，温度约为400°C，外观较纯SiO2的结果来得平滑。其玻态转变温度亦较SiO2得低。 后者用PECVD法 硼磷硅玻璃（BPSG)就是在上述的PSG内，再加入少量硼的一种同时含硼与磷的二氧化硅。 BPSG广泛应用于尚未进行金???沉积前的表面平坦化介质材料。;3、氮化硅 氮化硅的用处：场氧化掩蔽膜、钝化层 4、多晶硅CVD ;3.7.4 金属材料CVD; CVD反应室是整个CVD设备的心脏 任何一个 CVD系统均包含一个反应室、一组气体传输系统、排气系统及工艺控制系统;低压LPCVD;低压化学气相淀积LPCVD反应器;等离子体化学气相淀积PECVD反应器;;资料：扩展的PECVD制造大面积太阳能电池;CVD的安全问题 ;;高密度等离子体化学气相沉积设备??;多功能等离子体CVD设备（Plasma Enhanced CVD）;;;MOCVD1;MOCVD2;MOCVD3;MOCVD4;;3.7.5 外延新技术;分子束外延;;;1、Genius only means hard-working all ones life. (Mendeleyer, Russian Chemist)? 天才只意味着终身不懈的努力。20.8.58.5.202011:0311:03:10Aug-2011:03 2、Our destiny offers not only the cup of despair, but the chalice of opportunity. (Richard Nixon, American President )命运给予我们的不是失望之酒，而是机会之杯。二〇二〇年八月五日2020年8月5日星期三 3、Patience is bitter, but its fruit is sweet. (Jean Jacques Rousseau , French thinker)忍耐是痛苦的，但它的果实是甜蜜的。11:038.5.202011:038.5.202011:0311:03:108.5.202011:038.5.2020 4、All that you do, do with your might; things done by halves are never done right. ----R.H. Stoddard, American poet做一切事都应尽力而为，半途而废永远不行8.5.20208.5.202011:0311:0311:03:1011:03:10 5、You have to believe in yourself. Thats the secret of success. ----