电子产品装配与调试理论试题一.docxVIP

2021年赤峰市中等职业学校技能大赛 电子产品装配与调试理论试题(-) 电子产品装配与调试理论试题 (-) 、选择题（每题1分卜，共20分） A、水刻法座位号:B、 A、水刻法 座位号: B、刃刻法 C、火刻法 姓名： D、其他 得分: 1、 将复印好印制电路的敷铜板加工成符合要求的电路板有蚀刻法、 1、 将复印好印制电路的敷铜板加工成符合要求的电路板有蚀刻法、 2、 变压器的变压比n 1时是升压变压器,n 1时是降压变压器。 .和贴图法三种。（） （） A、小于，等于B、小于，大于C、大于，小于D、大于，等于 3、集成电路T065 3、集成电路T065的引脚排列如图所示，第?引脚是在 处。 () D、④A、① D、④ ③I I I I I I丨④ 4、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A、变窄B A、变窄 B、基本不变 C、变宽 D、无法确定 5、 二极管正向电阻比反向 电阻 B、小 B、小 C、一样大 D、无法确定 A、大 A、Vd0 A、Vd0 B、Vd＞死区电压 C、Vd＞击穿电压 D、以上都不对 7、晶体二极管内阻是 A、常数B A、常数 B、不旱堂数 C、不一定 D、没有电阻 8、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将 A、变好B、变差C、不变D A、变好 B、变差 C、不变 D、无法确定 9、把一个二极管直接同一个电动势为 1.5V,内阻为零的电池正向连接，该二极管 A、击穿 B、电流为零 C、电流正常 D、电流过大使管子烧坏 10、下面列出的几条曲线中，哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线 11、二极管的反向饱和电流在室温 20＜时是5 uA温度每升高10G其反向饱和电流值增 大一倍，当温度为30。时，反向饱和电流值为 A、 A、5 u A B、10 u A C、 20uA 12 12、将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压 U。的关系是 A、Uo=UiB、Uo=0.45Ui A、Uo=Ui B、Uo=0.45Ui C、Uo=0.5Ui D、Uo=、- 2 Ui 13、三极管三个极的对地电位分别是 -6 Vv -3 Vv -3.2 V,则该管是 A、PNP硅管 A、PNP硅管 B、NPN信管 C、NPN硅管 D、PNP信管 14、NPN型三极管各电极的电位分别为Vc=3.3 V, Ve=3 V, Vb=3.7 V,则该管工作在A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到A、RX100 或 RX 1KQB、 RX 1 QC、RX 10 QD、RX 100Q 14、NPN型三极管各电极的电位分别为 Vc=3.3 V, Ve=3 V, Vb=3.7 V, 则该管工作在 A、 饱和区 B、截止区 C、放大区 D、击穿区 15、 用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时, 应把欧姆挡拨到 A、 RX100 或 RX 1KQ B、 RX 1 Q C、RX 10 Q D、RX 100Q 16、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将 A、 减少 B、增大 C、不变 D、缓慢减少 17、 P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 A、 硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、 锂元素 18、 N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 A、 硅元素 B、硼元素 C、磷元素 元素 19、 电容器在电子线路中的作用有耦合、旁路、振荡和 A、 放大 B、开关 C、滤波 饱和 20、标注为棕、蓝、绿、黑、棕的电阻，其阻值为 欧姆。 C、s 1600K B C、 1650 1600 、判断题（每题1分，共30分） 1、变压器在电路中的作用主要是改变交流电压、电流和阻抗交换。 2、话筒主要有动圈式话筒、近讲话筒和驻极体话筒。 3、 万用表不用时，最好将转换开关旋到直流电压最高挡。 4、 无线话筒制作的调试过程中，如果増大线圈的间距，频率5、光f减小。 敏电阻是一种对光线极为敏感的电阻。 TOC \o 1-5 \h \z 6、 普通二极管正向使用也有稳压作用。（ ） 7、 P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 8、 二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。（ ） 9、 二极管仅能通过直流，不能通过交流。（ ） 10、 对于晶体二极管，当加上正向电压时它立即导通，当加上反向电压时，它立即截止。（） 11、 用数字万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体管的正向电阻，那么与标有 “+” 12、 12、 任何电子电路都需要直流电源供电，因此需要直流稳压电源 13、电容滤波效果是由电容器容抗大小决定的（14、电容滤波器广泛运用于负载电流小且变化量不大的场合15、只有电路既放大电流又放